单选题受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散是()。A本征扩散B非本征扩散C正扩散D逆扩散

单选题
受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散是()。
A

本征扩散

B

非本征扩散

C

正扩散

D

逆扩散


参考解析

解析: 暂无解析

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控制酸度可提高EDTA滴定选择性的原因是:() A、降低杂质离子的浓度B、提高待测离子的浓度C、提高待测金属离子的KMYD、使杂质离子的KNY’降低到不能被滴定的程度E、使杂质离子形成另外一种稳定化合物

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。() 此题为判断题(对,错)。

当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,膜扩散速度较快,整个交换速度偏向受内扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,膜扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受膜扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。()

假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

微分电位溶出法测定铅时,以下提法中正确的是()。A、溶出峰的峰电位只决定于元素的性质B、溶出峰的峰电位决定于元素的性质,但受底液离子的影响C、溶出峰的峰电位决定于所测元素的浓度D、峰高只决定于元素的浓度E、峰高决定于元素的性质,但受温度和底液离子的影响

简述极谱分析中哪些因素影响扩散电流,如何控制这些因素才能使扩散电流与被测离子的浓度成正比?

当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,()扩散速度较快,整个交换速度偏向受()扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂()时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,()扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受()扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行()时的情况。

离子交换速度是由膜扩散控制还是内扩散控制,主要受以下因素影响:()等。

浓度差是扩散推动力,溶液浓度差的大小是影响扩散过程的重要因素。当水中离子浓度在0.1mol∕L以上时,离子的膜扩散速度较快,此时内扩散过程成为整个离子交换速度的控制因素,通常树脂再生过程即属于这种情况;当水中离子浓度在0.003mol∕L以下时,离子的膜扩散速度变得比较慢,整个离子交换速度受膜扩散过程控制,水的离子交换软化过程即属于这种情况。()

由于扩散过程是依靠浓度梯度而进行的,所以水中离子浓度是影响扩散速度的重要因素。当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,膜扩散速度较快,整个交换速度偏向受内扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;若水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,膜扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受膜扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。当然水中离子浓度变化时,树脂因膨胀和收缩也会影响内扩散速度。()

当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,离子的膜扩散速度较快,此时内扩散过程成为整个离子交换速度的控制因素,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,离子的膜扩散速度就变得比较慢,整个离子交换速度受膜扩散过程控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。()

对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。A对B错

填空题当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,()扩散速度较快,整个交换速度偏向受()扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂()时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,()扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受()扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行()时的情况。

判断题由于扩散过程是依靠浓度梯度而进行的,所以水中离子浓度是影响扩散速度的重要因素。当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,膜扩散速度较快,整个交换速度偏向受内扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;若水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,膜扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受膜扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。当然水中离子浓度变化时,树脂因膨胀和收缩也会影响内扩散速度。()A对B错

判断题离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。A对B错

填空题浓度差是扩散推动力,溶液浓度差的大小是影响扩散过程的重要因素。当水中离子浓度在0.1mol∕L以上时,离子的()扩散速度较快,此时()扩散过程成为整个离子交换速度的控制因素,通常树脂()过程即属于这种情况;当水中离子浓度在0.003mol∕L以下时,离子的()扩散速度变得比较慢,整个离子交换速度受()扩散过程控制,水的离子交换()过程即属于这种情况。

问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?

单选题影响离子交换速度的因素很多,如树脂的交联度、树脂颗粒的大小、水中离子的浓度、水的温度、水的流速和离子的本性等。下列说法中,错误的是()。A树脂的交换基团一般不会影响交换速度、大孔型树脂的内扩散速度比凝胶型树脂快得多。B树脂的交联度大,其网孔就小,则其颗粒内扩散就慢。所以交联度大的树脂,交换速度一般偏向受内扩散控制。C树脂颗粒越小,由于内扩散距离缩短和膜扩散的表面积增大,对内扩散和膜扩散都有利,因而交换速度也就越快。D由于扩散过程是依靠浓度梯度而进行的,所以水中离子浓度是影响扩散速度的重要因素。E在一定范围内,提高水的温度能同时加快内扩散和膜扩散的速度。F树脂颗粒表面的水膜厚度随着流速的增加而减小,所以水流速度增加,可以加快膜扩散和内扩散。

单选题微分电位溶出法测定铅时,以下提法中正确的是()。A溶出峰的峰电位只决定于元素的性质B溶出峰的峰电位决定于元素的性质,但受底液离子的影响C溶出峰的峰电位决定于所测元素的浓度D峰高只决定于元素的浓度E峰高决定于元素的性质,但受温度和底液离子的影响

单选题溶液浓度的大小是影响扩散过程的重要因素,再生时离子交换速度受()所控制。A膜扩散B孔道扩散C表面扩散

填空题离子交换速度是由膜扩散控制还是内扩散控制,主要受以下因素影响:()等。

填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

判断题当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,离子的膜扩散速度较快,此时内扩散过程成为整个离子交换速度的控制因素,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,离子的膜扩散速度就变得比较慢,整个离子交换速度受膜扩散过程控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。()A对B错

判断题在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。A对B错

判断题浓度差是扩散推动力,溶液浓度差的大小是影响扩散过程的重要因素。当水中离子浓度在0.1mol∕L以上时,离子的膜扩散速度较快,此时内扩散过程成为整个离子交换速度的控制因素,通常树脂再生过程即属于这种情况;当水中离子浓度在0.003mol∕L以下时,离子的膜扩散速度变得比较慢,整个离子交换速度受膜扩散过程控制,水的离子交换软化过程即属于这种情况。()A对B错