()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
下列全控型电力电子器件中属于双极型器件有（）。A、GTRB、GTOC、SITD、SITH
功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
下列元件中属于半控型器件的是（）。A、GTOB、GTRC、SCRD、MOSFET
MOSFET晶体管属于（）器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004
下列属于半控型器件的是（）。A、IGBTB、SCRC、GTOD、MOSFET
不属于全控型功率电子器件的是（）。A、GTOB、GTRC、FSTD、MOSFET
场效应管属于（）型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是（）型器件。
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A对B错
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
单选题下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极