绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。() 此题为判断题(对，错)。
IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
双极型晶体管的英文简称是:()。 A.PAMB.BJTC.IGBTD.GTO
绝缘栅双极型晶体管简称( )。A.MOSFETB.IGBTC.GTRD.GTO
功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管简称（）。A、MOSFETB、IGBTC、GTRD、GTO
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
MOSFET晶体管属于（）器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004
双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是（）A、GTO和SCRB、GTR和电力二极管C、GTR和SCRD、GTO和GTR
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是MCT。
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
下列器件中，（）集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。A、晶闸管B、GTOC、IGBTD、IPM
多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A对B错
判断题绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。A对B错
单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”
问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。A对B错