为了提高DRAM的读写速度，通常采用一些特殊的技术开发多种不同类型的DRAM。下面四种DRAM中速度最快的是A．EDO DRAMB．FPMDRAMC．PR100 SDRAMD．PC133 SDRAM
为了提高DRAM的读写速度，通常采用一些特殊的技术开发多种不同类型的DRAM。下面四种DRAM中速度最快的是
A．EDO DRAM
B．FPMDRAM
C．PR100 SDRAM
D．PC133 SDRAM
相关考题：
下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新;其中正确的是()。 A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
下面关于SRAM、DRAM存储器；芯片的叙述中，正确的是A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CLIP中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成
下面关于SRAM、DRAM 存储器芯片的叙述中，正确的是( )。A．SRAM 和DRAM 都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CUP中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ
下面关于随机存取存储器RAM的叙述中，正确的是（)A.RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类，我们通常所讲的内存由DRAM组成，SRAM主要用来做高速缓冲存储器。#B.SRAM的集成度比DRAM高#C.DRAM的存取速度比SRAM快#D.DRAM中存储的数据无须“刷新”
下面是有关SRAM和DRAM的叙述正确的是哪几项？A．DRAM结构比SRAM简单B．DRAM功耗比SRAM低C．DRAM要刷新，SRAM不要刷新D．单位容量的DRAM比SRAM成本高E．单位容量的DRAM比SRAM速度快F．单位容量的DRAM比SRAM面积大