单选题在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种后,在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区

单选题
在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种后,在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是()。
A

稳定区

B

第一介稳区

C

第二介稳区

D

不稳定区


参考解析

解析: 暂无解析

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在外加晶种的结晶过程中,搅拌以及过饱和度控制不当易产生成核。() 此题为判断题(对,错)。

当通过汽化移去溶液时,蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高,必须补充含颗粒的(),使升高的过饱和度尽快消失。 A.晶种B.晶核C.晶体D.晶浆

在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体,常在介稳区进行结晶。介稳区是指( )。A.溶液没有达到饱和的区域B.溶液刚好达到饱和的区域C.溶液有一定过饱和度,但程度小,不能自发地析出结晶的区域D.溶液的过饱和程度大,能自发地析出结晶的区域

在分批冷却结晶操作中,使“溶液慢慢达到过饱和状态,产生较多晶核”的操作方式是()A、不加晶种,迅速冷却B、不加晶种,缓慢冷却C、加晶种,迅速冷却D、加晶种而缓慢冷却

关于碳酸氢钠结晶,下列说法正确的是()。A、适宜的中温可以使在冷却过程中析出的碳酸氢钠在已有晶核上继续生长,而不过多的产生二次晶核。B、碳化液在较小过饱和度下开始结晶时,成核速率大于晶核成长速率C、在同样的过饱和度下,较高温度时晶体成长的速率大于与之相适应的晶核生成速率D、要保持临界点与冷却段上层出水位置之间的距离不少于3mE、在操作过程中,中温达到一定指标之前,不开或少开冷却水,加水时应缓慢的加F、尽可能提高进塔CO2浓度

析碘过程碘从溶液中析出可分为()A、过饱和溶液的形成B、晶核的生成C、晶体的成长D、加入晶种

根据结晶动力学理论,工业结晶操作时选择过饱和度的原则是()。A、不影响结晶密度(质量)B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢

成核的两种形式是()。A、初次结晶,一次晶核B、晶种,二次晶核C、一次晶核,二次晶核D、初次结晶,晶种

溶液自发产生晶核是在()A、不稳定区B、稳定区C、介稳区D、过饱和区

加晶种控制结晶,使溶液的过饱和度控制在介稳区中,不会出现()现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体,常在介稳区进行结晶。介稳区是指()。A、溶液没有达到饱和的区域B、溶液刚好达到饱和的区域C、溶液有一定过饱和度,但程度小,不能自发地析出结晶的区域D、溶液的过饱和程度大,能自发地析出结晶的区域

当通过汽化移去溶液时,蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高,必须补充含颗粒的(),使升高的过饱和度尽快消失。A、晶种B、晶核C、晶体D、晶浆

在饱和与过饱和温度曲线上,自发成核区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

在饱和与过饱和温度曲线上,结晶初级成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种后,在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

根据结晶动力学理论,结晶溶液过饱和度高,结晶速率越快,在工业结晶操作时,应选择()的最高过饱和度。A、不影响结晶密度(质量)B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢

在饱和与过饱和温度曲线上,结晶二次成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

结晶初级成核速度N=Ae-△Gmax/(RT),△Gmax=16πV2mσ3/3(RTlnα)2,从公式可得到()。A、在温度不变的情况下,饱和溶液不能自动成核B、过饱和度越高,成核中速度越高C、温度越高,成核速度也越高D、成核速度受温度和过饱和度综合影响

在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

均相成核作用是指够晶离子在过饱和溶液中,自发形成晶核的过程。

填空题在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

多选题根据结晶动力学理论,结晶溶液过饱和度高,结晶速率越快,在工业结晶操作时,应选择()的最高过饱和度。A不影响结晶密度(质量)B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢

单选题在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区

单选题在结晶过程中,为了控制药物的晶型,常采用的结晶机制是()A初级成核B次级成核C冷却结晶D加入晶核生长结晶

多选题根据结晶动力学理论,工业结晶操作时选择过饱和度的原则是()。A不影响结晶密度(质量)B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢

单选题在饱和与过饱和温度曲线上,自发成核区域是()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区