结晶初级成核速度N=Ae-△Gmax/(RT),△Gmax=16πV2mσ3/3(RTlnα)2,从公式可得到()。A、在温度不变的情况下,饱和溶液不能自动成核B、过饱和度越高,成核中速度越高C、温度越高,成核速度也越高D、成核速度受温度和过饱和度综合影响

结晶初级成核速度N=Ae-△Gmax/(RT),△Gmax=16πV2mσ3/3(RTlnα)2,从公式可得到()。

  • A、在温度不变的情况下,饱和溶液不能自动成核
  • B、过饱和度越高,成核中速度越高
  • C、温度越高,成核速度也越高
  • D、成核速度受温度和过饱和度综合影响

相关考题:

在结晶化热处理工艺过程中,不影响铸造陶瓷材料晶体形成数量和性能的因素是A、成核剂B、成核温度C、结晶化温度D、结晶化热处理升温速度E、冷却温度

以下哪种结晶机制能够控制晶体的晶型() A、次级成核B、生长C、初级成核D、以上均可

从键盘上输入若干个学生成绩,统计并输出最高成绩和最低成绩,当输入负数时结束输入。main(){ float s,gmax,gmin;scanf("%f,"s)gmax=s;gmin=s;while{if(sgmax)gmax=s;ifgmin=s;scanf("%f",s);}printf("gmax=%f\ngmin=%f\n"gmax,gmin);}

直放站在线性状态下最大输入电平时的放大能力。设主机额定增益为Gmax,输入功率为Fin,输出功率为Fout,则满增益输出为:() A.Fout=GmaxB.Fout=Fin-GmaxC.Fout=Fin+GmaxD.Fout=Fin

关于二次成核的机理,公认为,对其起决定性作用的是()和流体剪应力成核。A、晶种形成B、初级非均相成核C、初级均相成核D、接触成核

二级成核起主要决定性作用的是()。A、流体剪应力成核B、初级非均相成核C、初级均相成核D、接触成核

结晶过程中,成核现象可以分为三种形式,其中不包括()。A、初级均相成核B、初级非均相成核C、二次成核D、接触成核

接触成核属于()A、初级均相成核B、初级非均相成核C、二次成核D、流体剪切成核

调压器额定流量用Qmax(Gmax),定义为在给定的出口压力下,当其偏差在规定范 围内时所能达到的流量上限。

由外来杂质诱导成核过程称()A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

加晶种控制结晶,使溶液的过饱和度控制在介稳区中,不会出现()现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

自发成核又称为()A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

在饱和与过饱和温度曲线上,结晶初级成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

结晶初级成核速度公式N=Ae-△Gmax/(RT),△Gmax=16πV2mσ3/3(RTlnα)2可知在温度不变情况下,α越高,成核速度越高。但在实际发现,随着α升高,成核速度呈先上升高后降低的现象,其原因是()。A、结晶溶液中含有杂质B、溶质扩散推动力变小C、溶质表面反应推动力变小D、系统黏度变大,分子运动减慢,成核速度下降

结晶的二次成核

简述结晶过程,工业上应如何控制结晶过程的成核速率。

直放站在线性状态下最大输入电平时的放大能力。设主机额定增益为Gmax,输入功率为Fin,输出功率为Fout,则满增益输出为:()A、Fout=GmaxB、Fout=Fin-GmaxC、Fout=Fin+GmaxD、Fout=Fin

结晶的初级成核

n个相同电阻串联时,总电阻Rt的最简公式是()。A、Rt=2nRB、Rt=nRC、Rt=R/nD、Rt=n/R

多选题结晶初级成核速度N=Ae-△Gmax/(RT),△Gmax=16πV2mσ3/3(RTlnα)2,从公式可得到()。A在温度不变的情况下,饱和溶液不能自动成核B过饱和度越高,成核中速度越高C温度越高,成核速度也越高D成核速度受温度和过饱和度综合影响

填空题在相干解调时,DSB系统的制度增益G=2,SSB系统G=1,AM系统在单音频调制时Gmax=()。

单选题在结晶化热处理工艺过程中,不影响铸造陶瓷材料晶体形成数量和性能的因素是()A成核剂B成核温度C结晶化温度D结晶化热处理升温速度E冷却温度

名词解释题结晶的初级成核

单选题结晶初级成核速度公式N=Ae-△Gmax/(RT),△Gmax=16πV2mσ3/3(RTlnα)2可知在温度不变情况下,α越高,成核速度越高。但在实际发现,随着α升高,成核速度呈先上升高后降低的现象,其原因是()。A结晶溶液中含有杂质B溶质扩散推动力变小C溶质表面反应推动力变小D系统黏度变大,分子运动减慢,成核速度下降

名词解释题均相初级成核

问答题诱发成核导致结晶速度增加

单选题在结晶过程中,为了控制药物的晶型,常采用的结晶机制是()A初级成核B次级成核C冷却结晶D加入晶核生长结晶