关于过饱和现象,以下说法正确的是() A、由于过饱和超出了溶解度，不可能长期稳定存在B、药物浓度达到过饱和，药物定会成核结晶析出C、过饱和现象有可能维持很长时间D、过饱和只是一种假设情况
在冷却结晶中,随着规模的放大,结晶釜制冷能力降低,冷却时间延长,这种情况下,由于过饱和度不高,不会发生成核。() 此题为判断题(对，错)。
在外加晶种的结晶过程中,搅拌以及过饱和度控制不当易产生成核。() 此题为判断题(对，错)。
碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时，由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要（），因此所得成品粒度会（）。A、快，大B、快，小C、慢，大D、慢，小
下列选项中，不会影响成核速率的的是（）。A、温度B、杂C、压力D、过饱和度
根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
加晶种控制结晶，使溶液的过饱和度控制在介稳区中，不会出现（）现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核
在结晶操作中，下列措施有利于晶体颗粒大而少的产品的是（）。A、增大过饱和度B、迅速降温C、强烈搅拌D、加入少量晶种
当通过汽化移去溶液时，蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高，必须补充含颗粒的（），使升高的过饱和度尽快消失。A、晶种B、晶核C、晶体D、晶浆
在饱和与过饱和温度曲线上，自发成核区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。
结晶初级成核速度N＝Ae－△Gmax/（RT），△Gmax＝16πV2mσ3/3（RTlnα）2，从公式可得到（）。A、在温度不变的情况下，饱和溶液不能自动成核B、过饱和度越高，成核中速度越高C、温度越高，成核速度也越高D、成核速度受温度和过饱和度综合影响
均相成核作用是指够晶离子在过饱和溶液中，自发形成晶核的过程。
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区
填空题在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区
多选题根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
多选题结晶初级成核速度N＝Ae－△Gmax/（RT），△Gmax＝16πV2mσ3/3（RTlnα）2，从公式可得到（）。A在温度不变的情况下，饱和溶液不能自动成核B过饱和度越高，成核中速度越高C温度越高，成核速度也越高D成核速度受温度和过饱和度综合影响
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区
单选题在结晶过程中，为了控制药物的晶型，常采用的结晶机制是（）A初级成核B次级成核C冷却结晶D加入晶核生长结晶
多选题根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，自发成核区域是（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区