问答题多晶硅的特点是什么？

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多晶硅的特点是什么？

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低温多晶硅TFT技术的最大优势是什么?
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硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
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能够从上述资料中推出的是：A.2015年1月多晶硅进口价格约为200美元/千克B.2015年多晶硅进口金额超过25亿美元C.2015年多晶硅进口量曾连续3个月环比下降D.2015年有一半的月份多晶硅进口量高于1万吨
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多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
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青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）A、一B、二C、三D、四
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哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
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铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
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晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论？
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问答题列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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单选题青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）A一B二C三D四
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单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A整个多晶硅的长度B多晶硅中两个引线孔中心点的距离C多晶硅中两个引线孔内侧的距离D多晶硅中两个引线孔外侧的距离
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单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A第一层多晶硅的面积B第二层多晶硅的面积C二层多晶硅重叠后的面积
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