单选题高能x射线或γ射线透照,若需要增感时,一般应选用()。A荧光增感B铅箔增感C金属荧光增感D以上均可

单选题
高能x射线或γ射线透照,若需要增感时,一般应选用()。
A

荧光增感

B

铅箔增感

C

金属荧光增感

D

以上均可


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

透照时射线束中心一般应垂直指向透照区中心,不可选用有利于发现缺陷的方向透照。

硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A、高能X(γ)射线与低能X射线B、高能X(γ)射线与电子束C、低能X射线与电子束D、高能X射线E、低能X射线

DL/T821一2002规定,对较大直径管道对接接头射线透照检验时,为提高横向裂纹检出率,应选用周向X射线机或γ射线源,采用中心全周透照法。若采用其他透照方法,则对被检区两端的最大穿透厚度与射线中心线穿透厚度比K值应满足:环缝K值不大于1.2,纵缝K值不大于1.03。()

曝光曲线在制作时往往把哪一些参数固定()A、X射线机、照相的焦距、底片黑度、所使用的胶片和增感屏、射线能量B、X射线机、照相的焦距、底片黑度、所使用的胶片和增感屏、曝光量C、X射线机、照相的焦距、底片黑度、所使用的胶片和增感屏、透照厚度D、X射线机、照相的焦距、底片黑度、所使用的胶片和增感屏、暗室处理的工艺条件

宽束X射线透照工件时,若入射线强度为I0,未散射的射线强度为I,散射线的强度为IS,则散射比的定义为()。

用铅箔做增感屏时,若X射线管电压太高,会产生磷光现象。

当采用射线探伤方法时,应优先采用X射线源进行透照检测。

高能X射线照射到物质上以后,一般会出现以下哪几种X射线()A、荧光X射线B、散射X射线C、衍射X射线D、透过X射线

在高能射线照相中,增感屏的增感作用主要靠前屏。

当选用50KV的管电压进行X射线探伤时,应采用何种增感屏?()A、荧光增感屏B、无需增感屏C、铅箔增感屏D、金属荧光增感屏

高能x射线或γ射线透照,若需要增感时,一般应选用()。A、荧光增感B、铅箔增感C、金属荧光增感D、以上均可

下列关于增感屏使用的叙述中,哪种是正确的?()A、用荧光增感屏进行X射线照相时,曝光时间可以显著缩短,但底片的像质较差B、荧光增感屏的增感作用不如铅箔增感屏C、用铅箔增感屏时,若X射线管的管电压太高,会产生磷光现象D、用荧光增感屏进行X射线照相时,曝光时间虽然较长,但底片的像质较好

使用γ射线或高能X射线透照厚工件时,胶片类型和胶片黑度的选择十分重要。

宽束X射线透照工件时,若入射线强度为Io,未散射的射线强度为I,散射线的强度为Is,则散射比的定义为Io/Is

高能射线是能量在()兆电子伏特以上的X射线,采用直线加速器产生的高能X射线与一般X射线相比,它具有()、()、()等特点。

宽束X射线透照工件时,若入射线强度为Io,未散射的射线强度为I,散射线的强度为Is,则散射比的定义为()。A、 Io/IsB、 I/IsC、 Is/ID、 Io/I

与低能射线透照相比,高能射线透照具有的特点()。A、 宽容度大B、 对比度较高C、 感光速度快D、 散射线影响大

使用γ射线或高能Χ射线透照厚工件时,胶片类型和胶片()的选择十分重要。A、黑度B、价格C、重量D、以上都不对

在射线探伤中,影响缺陷检测的因素很多,除了X射线胶片和增感屏的特性、散射线对射线照相的影响外还有几何不清晰度、固有不清晰度、()、射线的入射方向及透照厚度差等。

填空题在射线探伤中,影响缺陷检测的因素很多,除了X射线胶片和增感屏的特性、散射线对射线照相的影响外还有几何不清晰度、固有不清晰度、()、射线的入射方向及透照厚度差等。

判断题当采用射线探伤方法时,应优先采用X射线源进行透照检测。A对B错

多选题高能X射线照射到物质上以后,一般会出现以下哪几种X射线()A荧光X射线B散射X射线C衍射X射线D透过X射线

单选题与低能射线透照相比,高能射线透照具有的特点()。A宽容度大B对比度较高C感光速度快D散射线影响大

判断题DL/T821一2002规定,对较大直径管道对接接头射线透照检验时,为提高横向裂纹检出率,应选用周向X射线机或γ射线源,采用中心全周透照法。若采用其他透照方法,则对被检区两端的最大穿透厚度与射线中心线穿透厚度比K值应满足:环缝K值不大于1.2,纵缝K值不大于1.03。()A对B错

单选题硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A高能X(γ)射线与低能X射线B高能X(γ)射线与电子束C低能X射线与电子束D高能X射线E低能X射线

判断题透照时射线束中心一般应垂直指向透照区中心,不可选用有利于发现缺陷的方向透照。A对B错

单选题当选用50KV的管电压进行X射线探伤时,应采用何种增感屏?()A荧光增感屏B无需增感屏C铅箔增感屏D金属荧光增感屏