与低能射线透照相比,高能射线透照具有的特点()。A、 宽容度大B、 对比度较高C、 感光速度快D、 散射线影响大

与低能射线透照相比,高能射线透照具有的特点()。

  • A、 宽容度大
  • B、 对比度较高
  • C、 感光速度快
  • D、 散射线影响大

相关考题:

透照时射线束中心一般应垂直指向透照区中心,不可选用有利于发现缺陷的方向透照。

硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A、高能X(γ)射线与低能X射线B、高能X(γ)射线与电子束C、低能X射线与电子束D、高能X射线E、低能X射线

对环焊缝作源在外的单壁透照时,确定透照次数与()相关A、透照厚度比、工件外径、工件壁厚B、工件外径、透照厚度比、射线源与工件表面距离C、工件壁厚、透照厚度比、工件外径、射线源与工件表面距D、透照厚度比、工件壁厚/工件外径、工件外径/射线源与工件表面距离

小直径管椭圆成像透照时应注意的重要特点是()A、射线源偏移距离不易确定B、曝光量不易确定C、透照区内透照厚度变化大D、以上都不是

射线透照方向的选择,应尽可能使射线与缺陷延伸方向垂直

射线检测时的透照布置要求包括()。A、射线能量B、透照方式C、透照方向D、一次透照长度

射线透照质量等级,分为A、()和()级。

高能x射线或γ射线透照,若需要增感时,一般应选用()。A、荧光增感B、铅箔增感C、金属荧光增感D、以上均可

下列各项中决定双壁透照双壁成像(椭圆成像)时射线源偏移距离的因素是()A、透照厚度比B、有效透照区C、射线束照射角D、焊缝热影响区宽度

在对焊缝作射线照相时,线型像质计应放在有效照相范围的下述哪个位置?()A、透照场中心,焊缝上(与射线源同侧)B、透照场一端,焊缝上(与射线源同侧)C、透照场中心,焊缝上(与胶片同侧)D、透照场一端,焊缝上(与射线源异侧)

透照有余高的焊缝时,为使象质计金属丝在焊缝和母材部位得到相同显示,应()A、根据焊缝的余高选择合适的射线能量;B、尽量选择较高能量射线;C、尽量选择较低能量射线;D、以上都不对。

对环焊缝X射线照相,源在外的单壁透照,有效透照长度与焦距的关系是()A、焦距越大,有效透照长度越小B、焦距越大,有效透照长度越大C、焦距等于工件直径时有效长度最大

使用γ射线或高能X射线透照厚工件时,胶片类型和胶片黑度的选择十分重要。

窄束射线和宽束射线,在透照工件时出现下列情况()。A、窄束透照工件时,未散射的透过射线I和工件的散射线IS均到达检测器B、宽束透照工件时,未散射的透过射线I和工件的散射线IS均到达检测器C、窄束透照工件时,只有未散射的透过射线I到达检测器D、以上B和C均正确

使用γ射线或高能Χ射线透照厚工件时,胶片类型和胶片()的选择十分重要。A、黑度B、价格C、重量D、以上都不对

常用的热释光剂量计主要用于测量()A、α射线和高能β射线B、α射线和低能β射线C、γ射线和高能β射线D、γ射线和低能β射线E、α射线和γ射线

Y射线只限于用来透照与其能量()。

单选题窄束射线和宽束射线,在透照工件时出现下列情况()。A窄束透照工件时,未散射的透过射线I和工件的散射线IS均到达检测器B宽束透照工件时,未散射的透过射线I和工件的散射线IS均到达检测器C窄束透照工件时,只有未散射的透过射线I到达检测器D以上B和C均正确

单选题透照有余高的焊缝时,为使象质计金属丝在焊缝和母材部位得到相同显示,应()A根据焊缝的余高选择合适的射线能量;B尽量选择较高能量射线;C尽量选择较低能量射线;D以上都不对。

单选题高能x射线或γ射线透照,若需要增感时,一般应选用()。A荧光增感B铅箔增感C金属荧光增感D以上均可

单选题在对焊缝作射线照相时,线型像质计应放在有效照相范围的下述哪个位置?()A透照场中心,焊缝上(与射线源同侧)B透照场一端,焊缝上(与射线源同侧)C透照场中心,焊缝上(与胶片同侧)D透照场一端,焊缝上(与射线源异侧)

多选题射线检测时的透照布置要求包括()。A射线能量B透照方式C透照方向D一次透照长度

单选题小直径管椭圆成像透照时应注意的重要特点是()A射线源偏移距离不易确定B曝光量不易确定C透照区内透照厚度变化大D以上都不是

单选题下列各项中决定双壁透照双壁成像(椭圆成像)时射线源偏移距离的因素是()A透照厚度比B有效透照区C射线束照射角D焊缝热影响区宽度

单选题与低能射线透照相比,高能射线透照具有的特点()。A宽容度大B对比度较高C感光速度快D散射线影响大

单选题硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A高能X(γ)射线与低能X射线B高能X(γ)射线与电子束C低能X射线与电子束D高能X射线E低能X射线

单选题常用的热释光剂量计主要用于测量(  )。Aδ射线和低能β射线Bα射线和高能β射线Cγ射线和高能β射线Dα射线和低能β射线Eα射线和γ射线