判断题在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。A对B错

判断题
在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
A

B


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相关考题:

铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀

半导体芯片生产中,离子注入主要是用来()。A、氧化B、改变导电类型C、涂层D、改变材料性质E、镀膜

机械图样上表示零件表面结构的符号有三种,分别表示()A、表面可用任何方法获得B、表面是用去除材料方法获得C、表面是用涂镀方法获得D、表面是用不去除材料方法获得

防止接触腐蚀的方法包括()A、选用腐蚀电位接近的材料B、不同金属部件之间绝缘C、打磨金属表面去除氧化皮D、外加电源进行阴极保护

反应离子腐蚀是()。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么?

表面粗糙度标注符号“拶”的意义是()。A、用任何方法获得的表面,Ra最大允许值为3.2μmB、用去除材料的方法获得的表面,Ra最大允许值为3.2μmC、用不去除材料的方法获得的表面,Ra最大允许值为3.2μmD、用去除材料的方法获得的表面,Ra最小允许值为3.2μm

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以

车身上裸露的外表面受到飞石冲击的机会比内表面大,要在防腐蚀处理时使用刻蚀和转化涂料。

表面粗糙度符号表示表面是用去除材料的方法获得,表示表面是用不去除材料的方法获得。

多选题防止接触腐蚀的方法包括()A选用腐蚀电位接近的材料B不同金属部件之间绝缘C打磨金属表面去除氧化皮D外加电源进行阴极保护

单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工

单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。A 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C 变成刻蚀介质以形成一个凹槽D 在大于3微米的情况下,混合发生化学作用与物理作用

判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错

填空题刻蚀是用()或()有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。

问答题湿法刻蚀有什么缺点?

问答题简述法刻蚀的优缺点(与湿法刻蚀比)。

问答题简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。

判断题与干法刻蚀相比,湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,对器件不会带来等离子体损伤,并且设备简单。A对B错

问答题简述湿法刻蚀。

判断题在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。A对B错

问答题简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点

问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点,干法刻蚀的不足之处是什么?

问答题什么是湿法刻蚀?

问答题湿法刻蚀和干法刻蚀的区别?

判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。A对B错

问答题什么是干法刻蚀?什么是湿法刻蚀?比较二者的优缺点。

判断题表面粗糙度符号表示表面是用去除材料的方法获得,表示表面是用不去除材料的方法获得。A对B错