已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:需要芯片的总数是多少?
已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:需要芯片的总数是多少?
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μPD424256的容量为256K×4bit,即芯片内部有256K个存储单元,每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中,正确的是( )。A.芯片内部有256K个存储单元,因此芯片有18个地址引脚B.芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新C.芯片的数据线有4根,但为减少芯片的引脚数,它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的D.DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外,有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息,有些存储8位信息
存储器进行位扩展时,需多个存储器芯片来构成所需要的存储空间。其电路连接方法是()。A、各芯片的同名地址线、控制线、数据线并联,片选线分别接出B、各芯片的同名地址线、控制线、片选线并联,数据线分别接出C、各芯片的同名地址线、数据线并联,控制线和片选线分别接出D、各芯片的同名地址线、控制线并联,数据线和片选线分别接出
写出下列存储器芯片(非DRAM)基本地址范围。这些芯片各需要几位地址线实现片内寻址?若要组成64KB的存储器需要几片? 1)4416芯片 2)6116芯片 3)27128芯片 4)62256芯片
已知某RAM芯片的容量为4K×4b,该芯片有数据线D3~D0,地址线A11~A0,读写控制线WE和片选信号线CS。若用这种RAM芯片构成0000H~1FFFH与6000H~7000HRAM1与RAM2两个寻址空间的内存区,需要几块这种RAM芯片?共分几个芯片组?该RAM芯片有几根地址线?几根数据线?
已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
问答题已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
问答题某ROM芯片中有12根地址输入端和8个数据输出端,该芯片的存储容量是多少位?