写出下列存储器芯片（非DRAM）基本地址范围。这些芯片各需要几位地址线实现片内寻址？若要组成64KB的存储器需要几片？ 1）4416芯片 2）6116芯片 3）27128芯片 4）62256芯片
写出下列存储器芯片（非DRAM）基本地址范围。这些芯片各需要几位地址线实现片内寻址？若要组成64KB的存储器需要几片？ 1）4416芯片 2）6116芯片 3）27128芯片 4）62256芯片
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下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?
现需要一个32M×8规格的存储器，现只有规格为1M×8的存储器芯片，则需要(49)个这样的存储器芯片。存储芯片的地址长度需要(50)位，主存储器的地址长度需要(51)位。A．16B．18C．32D．8
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，哪两个叙述是正确的?( )A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下列关于DRAM的叙述，正确的是A.DRAM是一种随机存储器B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失D.DRAM是一种半导体存储器E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ
存储器进行位扩展时，需多个存储器芯片来构成所需要的存储空间。其电路连接方法是（）。A、各芯片的同名地址线、控制线、数据线并联，片选线分别接出B、各芯片的同名地址线、控制线、片选线并联，数据线分别接出C、各芯片的同名地址线、数据线并联，控制线和片选线分别接出D、各芯片的同名地址线、控制线并联，数据线和片选线分别接出
用8k×8位的存储器芯片组成容量为16k×16位的存储器，共需几个芯片？共需多少根地址线寻址？（）A、2片芯片，14根地址线寻址B、4片芯片，14根地址线寻址C、2片芯片，15根地址线寻址D、4片芯片，15根地址线寻址
现有1024×1的存储芯片，若用它组成容量为16K×8存储器。试求： （1）实现该存储器所需的芯片数量？ （2）若将这些芯片分装在若干块板上，每块板的容量为4K×8，该存储器所需的地址线总位数是多少？其中几位用于选板？几位用于选片？几位用作片内地址？
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
单选题用8k×8位的存储器芯片组成容量为16k×16位的存储器，共需几个芯片？共需多少根地址线寻址？（）A2片芯片，14根地址线寻址B4片芯片，14根地址线寻址C2片芯片，15根地址线寻址D4片芯片，15根地址线寻址
问答题现有1024×1的存储芯片，若用它组成容量为16K×8存储器。试求： （1）实现该存储器所需的芯片数量？ （2）若将这些芯片分装在若干块板上，每块板的容量为4K×8，该存储器所需的地址线总位数是多少？其中几位用于选板？几位用于选片？几位用作片内地址？
问答题已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：需要芯片的总数是多少？
问答题已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
问答题现有1024×1的存储芯片，若用它组成容量为16K×8的存储器。试求： （1）实现该存储器所需的芯片数量？ （2）若将这些芯片分装在若干个块板上，每块板的容量为4K×8，该存储器所需的地址线总位数是多少？其中几位用于选板？几位用于选片？几位用作片内地址？