声源面积不变时,超声波频率越高,超声场的近场长度越长。

声源面积不变时,超声波频率越高,超声场的近场长度越长。


相关考题:

下列关于声场的特性描述,不正确的是A、声束由大的主瓣和许多小的旁瓣组成B、超声波频率越高,近场区越长C、主要依靠探头发射的声束主瓣成像D、声场可分近场、中场和远场E、声束的近场集中,远场分散

下列关于声场的特性描述,不正确的是A.声束由大的主瓣和许多小的旁瓣组成B.超声波频率越高,近场区越长C.主要依靠探头发射的声束主瓣成像D.声场可分近场、中场和远场E.声束的近场集中,远场分散

超声频率不变,晶片面积越大,超声的近场长度越短。

超声场的近场区长度与波源面积及波长的关系()。A、 近场区长度与波源面积及波长成正比B、 近场区长度与波源面积及波长成反比C、 近场区长度与波源面积成正比,与波长成反比D、 近场区长度与频率成正比,与波源面积成反比

超声波频率越高,近场区也就越长。

活塞波声场,声束轴线上最后一个声压极大值到声源的距离称为()A、近场长度B、未扩散区C、主声束D、超声场

面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片,超声场的近场区场区相同()

若超声波频率不变,晶片面积越大,其近场长越短。

活塞波声源的声束轴线上最后一个声压最大点到声源的距离称为()A、近场长度B、未扩散区C、主声束D、超声场

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

超声波频率越高,近场区的长度也就越小。

如超声波频率不变,晶片面积越大,超声场的近场长度越短。

面积相同,频率相同的圆品片和方晶片,超声场的近场长度一样长。

关于声场的特性,不正确的是( )A、声束有一个大的主瓣和一些小的旁瓣组成B、超声频率越高,近场越长C、超声成像主要依靠探头发射的主瓣D、声场可分近场、中场和远场E、声束的近场集中,远场分散

邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A、扩散B、增大C、不变D、减小

单选题超声场的近场区长度与波源面积及波长的关系()。A 近场区长度与波源面积及波长成正比B 近场区长度与波源面积及波长成反比C 近场区长度与波源面积成正比,与波长成反比D 近场区长度与频率成正比,与波源面积成反比

单选题活塞波声场,声束轴线上最后一个声压极大值到声源的距离称为()A近场长度B未扩散区C主声束D超声场

单选题活塞波声源的声束轴线上最后一个声压最大点到声源的距离称为()A近场长度B未扩散区C主声束D超声场

判断题面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片,超声场的近场长度一样长。A对B错

判断题如超声波频率不变,晶片面积越大,超声场的近场长度越短。A对B错

单选题关于声场的特性,不正确的是(  )。A声束有一个大的主瓣和一些小的旁瓣组成B超声频率越高,近场越长C超声成像主要依靠探头发射的主瓣D超声场可分近场、中场和远场E声束的近场集中,远场分散

单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A 增大B 不变C 减小D 都有可能

判断题超声波频率越高,近场区的长度也就越大。A对B错

判断题超声波频率越高,近场区也就越长。A对B错

判断题超声频率不变,晶片面积越大,超声的近场长度越短。A对B错

判断题若超声波频率不变,晶片面积越大,其近场长越短。A对B错

单选题邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A扩散B增大C不变D减小