紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。（）此题为判断题(对，错)。
超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。 （ ）此题为判断题(对，错)。
超声场近场区和远场区各横截面上的声压分布是相同的。() 此题为判断题(对，错)。
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
晶片尺寸相同，超声场的近场长度愈短，声束指向性愈好。
面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的声束指向角相同。
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
面积相同，频率相同的圆品片和方晶片，超声场的近场长度一样长。
面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片，其声束指向角亦相同。
探头晶片面积相同，高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。
超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。
判断题紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。A对B错
判断题面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的声束指向角相同。A对B错
判断题同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A对B错
判断题面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片，超声场的近场长度一样长。A对B错
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A 增大B 不变C 减小D 都有可能
判断题超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。A对B错
判断题面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片，声束指向性也相同（）A对B错
判断题面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片，超声场的近场区场区相同（）A对B错
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A对B错