晶体管的反向饱和电流Icbo是指发射极e开路时( )之间的反向饱和电流。A.e极和b极B.e极和c极C.c极和b极D.b极和f极
晶体三极管的反向击穿电压是基极开路时e、c两极之间的击穿电压。() 此题为判断题(对，错)。
三极管的主要参数有()、()、集电极最大允许耗散功率Pcm、集电极反向电流Icbo、集电极－发射极反向电流Iceo。
三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为（）AIceo=IcboBIceo=（β+1）IcboCIceo=βIcbo
当环境温度升高时，半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大B、减小C、不变D、反向
晶体三极管处于放大状态时（）。A、集电极正偏，发射极正偏B、集电极反偏，发射极正偏C、集电极正偏，发射极反偏D、集电极反偏，发射极反偏
当三极管IE=0即（）开路时，集电极反向饱和电流，用符号（）表示。
晶体三极管的穿透电流Iceo是指在基极开路时，集电极与发射极之间的（）电流。
三极管的极限参数主要有（）。A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极击穿电压（基极开路）UCEOC、集电极—基极反向饱和电流ICBOD、穿透电流ICEOE、集电极最大允许耗散功率PCN
晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流。A、e和bB、e和cC、c和bD、b和f
三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为（），β为电流放大倍数。 A、Iceo＝Icbo；B、Iceo＝（β＋1）Icbo；C、Iceo＝βIcbo；D、Iceo＝（β－1）Icbo。
晶体三极管处于放大状态时（）。A、集电极正偏，发射极正偏B、集电极反偏，发射极正偏C、集电极正偏，发射极反偏
基极开路，集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫三极管的穿透电流。
三极管的反向饱和电流受（）影响较大．是造成三极管不稳定的主要因素．越小越好。A、电源B、反向电压C、制造工艺D、温度
当环境温度升高时，三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大；B、减小；C、不变；D、反向。
当基极开路，集电极和发射极之间加反向电压时产生的集电极电流叫穿透电流。
三极管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的（）倍。在选用管子时，一般希望ICEO尽量（）。
晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的（）倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量（）。
三极管工作在放大状态的条件是（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏
三极管工作在饱和状态的条件是（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏
三极管集电极反向饱和电流Icbo随温度升高而（），直流放大倍数也（）。
三极管的集电极反向偏置，基极开路，（）之间的反向电流叫做穿透电流。
在电子器件参数中，晶体三极管的穿透电流是指（）。A、发射极开路时，基极电流的大小B、发射极开路时，集电极电流的大小C、基极开路时，发射极电流的大小D、基极开路时，集电极电流的大小
三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为（）A、Iceo=IcboB、Iceo=（β+1）IcboC、Iceo=βIcbo
三极管当（）开路时，在集电结加反向电压时，这时流经集电结的反向电流称为集电极反向饱和电流，用符号（）表示。
三极管中ICEO指的是发射极开路，集电极加反向电压时的电流。
填空题当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（）所以Ic也（）。