晶体三极管的反向击穿电压是基极开路时e、c两极之间的击穿电压。() 此题为判断题(对,错)。

晶体三极管的反向击穿电压是基极开路时e、c两极之间的击穿电压。()

此题为判断题(对,错)。


相关考题:

晶体管的集电极发射极击穿电压BUCEO是指基极开路时()的()允许电压值,BUCEO随温度的增高()。

当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压时,其反向电流迅速增加。

2、发射极开路时,使 I’CBO→∞ 时的 |VBC| 称为共基极集电结雪崩击穿电压,记为 BVCBO 。

5、乙类双电源互补对称功率放大电路中,功率BJT管子基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压应大于2VCC。

在功放管的极限参数中,集电极最大允许耗散功率Pcm是集电极最大电流Icm与基极开路时集电极-发射极间反向击穿电压VBR(CEO)的乘积。()

二极管的反向击穿电压大小与温度有关,温度升高反向击穿电压增大。

27、划分BJT输出特性曲线上的安全工作区域,需要考虑的因素有()。A.集电极最大允许电流B.基极最大允许电流C.集电结最大允许耗散功率D.发射结最大允许耗散功率E.基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压F.集电极开路时,发射极-基极间的反向击穿电压G.发射极开路时,集电极-基极间的反向击穿电压

发射极开路时,使 I’CBO→∞ 时的 |VBC| 称为共基极集电结雪崩击穿电压,记为 BVCBO 。

参数UBR表示的是 。A.反向电压B.击穿电压C.击穿反向电压D.反向击穿电压