晶体管的反向饱和电流Icbo是指发射极e开路时( )之间的反向饱和电流。A.e极和b极B.e极和c极C.c极和b极D.b极和f极

晶体管的反向饱和电流Icbo是指发射极e开路时( )之间的反向饱和电流。

A.e极和b极

B.e极和c极

C.c极和b极

D.b极和f极

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三极管的主要参数有()、()、集电极最大允许耗散功率Pcm、集电极反向电流Icbo、集电极－发射极反向电流Iceo。
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三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为（）AIceo=IcboBIceo=（β+1）IcboCIceo=βIcbo
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25、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大
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通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
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19、通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
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1、ICBO代表（) 时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。A．发射极短路、集电结反偏B．发射极反偏、集电结开路C．发射极开路、集电结反偏D．发射极正偏、集电结反偏
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24、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大
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在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常 于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较 。
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当集电结反偏时，基区和集电区中的少子向对方漂移，形成了 。A．基极电流IBNB．集电极电流ICNC．发射极电流IED．反向饱和电流ICBO
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