QS1型交流电桥在使用时采用正接线方法,是使被试设备()对地绝缘,电桥处于(),试验电压不受电桥绝缘水平限制,易于排除高压端对地杂散电流对实际测量结果的影响,抗干扰性强,被广泛使用.A、两端、高电位B、两端、低电位C、一端、低电位D、一端、高电位

QS1型交流电桥在使用时采用正接线方法,是使被试设备()对地绝缘,电桥处于(),试验电压不受电桥绝缘水平限制,易于排除高压端对地杂散电流对实际测量结果的影响,抗干扰性强,被广泛使用.

  • A、两端、高电位
  • B、两端、低电位
  • C、一端、低电位
  • D、一端、高电位

相关考题:

QSl型西林电桥正接线适用于被试品一端接地的情况。( )

采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。A对B错

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下,对同一被试设备,其tanØ随温度的升高而减少。

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种()A、把电桥移到磁场以外去测量B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时,调节电桥平衡,求得每次平衡时的tanØ值和电容值,取两次的平均值为tanØ值C、提高试验电压D、在被试设备上加装屏蔽罩

西林电桥采用正接线时,电桥处于低电压,操作比较安全,电桥内部不受()影响,但被试品对地必须绝缘。A、大电流B、高电压C、强电场D、磁场

QS1型交流电桥是采用“平衡比较”原理,当被试设备接入测试电路后,调整输入和输出桥臂的电压、电流乃至阻抗达到平衡,使电桥中检流计G的电流Ig=0。这时,可调电容C4的值就等于被试设备的介质损耗正切值。

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除电场干扰的方法有以下几种()A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线,排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩

采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。

采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。

采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A、低B、高C、相等

西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法,是使被试设备()接地。测量时电桥上于(),试验电压受电桥绝缘水平限制,高压端对地杂散电流不易消除,抗干扰性差。A、两端、高电位B、两端、低电位C、一端、低电位D、一端、高电位

QS1型交流电桥在使用时有通常有以下()接线方法A、正接线B、反接线C、侧接线D、低压接线

S1电桥正接线适合于被试品()。

QS1型交流电桥测量时,影响tanØ测量值因素主要有()A、电场干扰B、温度影响C、被试设备局部绝缘缺陷的影响D、测量电压的影响

如果QS1交流电桥的工作电压高于10kv,只能采用()接线法,并配用()标准电容器.

变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时,对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

现场测试中,使用QS1电桥测tgδ%,下列设备哪些适合正接线。()A、变压器本体B、变压器电容型套管C、耦合电容器D、CVT

判断题采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。A对B错

单选题采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A低B高C相等

判断题QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。A对B错

判断题在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A对B错