变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

相关考题：

采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错
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采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A对B错
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m
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在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
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使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污
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采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
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采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。
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采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A、低B、高C、相等
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为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
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现场试验中，使用QS1电桥测tgδ％，适合正接线的设备是（）。A、变压器本体B、变压器的电容型套管C、消弧线圈D、电磁式电流互感器本体
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法
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QS1型交流电桥在使用时有通常有以下（）接线方法A、正接线B、反接线C、侧接线D、低压接线
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测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法
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用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
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用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？
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现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线。（）A、变压器本体B、变压器电容型套管C、耦合电容器D、CVT
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判断题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A对B错
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单选题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A低B高C相等
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判断题采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错
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问答题一台变压器，用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时，已知试验电压为10KV，标准电容CN为50皮法，分流器在0.06档，电桥平衡时，R3为64欧，e为0.4欧，tgδ为0.8%，试计算Cx之值（R4为3184欧）。
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判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A对B错
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