常见的电路元件有电阻元件、电容元件、电感元件、电压源、电流源。() 此题为判断题(对，错)。
并联电路中的总电压等于各元件上的电压值之和。()此题为判断题(对，错)。
35kV多元件支柱绝缘子的交流耐压试验值，应符合下列规定（）A、两个胶合元件者，每元件50kV；B、三个胶合元件者，每元件34kV；C、两个胶合元件者，每元件60KV；D、三个胶合元件者，每元件50kV。E、悬式绝缘子的交流耐压试验电压均取60kV。
晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
三相可控硅整流电路中，每个可控硅承受的最大反向电压是二次（）。A、相电压值B、相电压峰值C、线电压值D、线电压峰值
当单相半波可控硅整流装置交流电源电压为220伏时，则应该选用（）。A、220伏的可控硅元件B、300伏的可控硅元件C、500伏的可控硅元件D、250伏的可控硅元件
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
当门极断开（Ig=0），元件处在额定结温时，正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压（）%。A、70B、80C、90D、100
可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。
测定硅整流元件的正向压降平均值时，硅整流元件应在额定冷却条件下通过（）。A、反向漏电流；B、正向电流平均值；C、正向电流峰值；D、有效值。
晶闸管的主要参数有（）。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压
一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
通常所说多少伏的可控硅，是指它的（）是多少伏。A、正向阻断峰值电压B、正向转折电压C、整流电压D、整流电流
单选题当门极断开（Ig=0），元件处在额定结温时，正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压（）%。A70B80C90D100
判断题可控硅一旦导通，即使控制级的电压去掉，元件依然保持继续导通状态。A对B错
判断题压敏电阻就是对电压敏感的非线性电阻元件。A对B错
判断题在RLC串联电路中,总电压的有效值总会大于各元件的电压有效值。A对B错
判断题GIS元件耐压试验时，电磁式电压互感器绝对不能与主回路一起进行耐压试验。A对B错
填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。