二极管最高反向工作电压是指二极管所允许的最高反向工作电压的峰值,它的数值低于反向击穿电压。() 此题为判断题(对，错)。
二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。() 此题为判断题(对，错)。
晶闸管反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()。 A、50VB、80VC、100VD、120V
晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。 A、100VB、120VC、150VD、180V
在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200VB.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200VC.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200VD.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
三相可控硅整流电路中，每个可控硅承受的最大反向电压是二次（）。A、相电压值B、相电压峰值C、线电压值D、线电压峰值
可控硅的正向阻断是（）。A、可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压B、可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压C、可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压D、可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压
二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（）
可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。A、50B、80C、100D、120
晶闸管反向重复峰值电压（有称反向阻断峰值电压）规定比反向击穿电压小（）V。A、50B、80C、100D、120
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反中向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（）
齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A、转折电压B、反向击穿电压C、阈值电压D、额定电压
KP10-20表示普通反向阻断型晶闸管的正反向重复峰值电压（）。A、1000VB、10VC、2000VD、20V
晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。
二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。
一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
单选题取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A转折电压B反向击穿电压C阈值电压D额定电压
填空题晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。