在规定条件下,维持可控硅导通所必需的最小正向电流称为()电流。 A、触发B、正向平均C、维持D、额定
用万用表测试好的单向可控硅,阴极与控制极间()。 A、正向电阻小、反向电阻小B、正向、反向电阻都很大C、正向、反向电阻都很小D、正向电阻大、反向电阻小
当可控硅的阳极加上反向电压时，可控硅将处于（）状态。A、导通B、阻断C、挂起D、烧损
可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
晶闸管的阻断作用有（）。A、正向阻断B、反向阻断C、正向偏置D、反向偏置E、门极偏置
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
温度失控是由于（）。A、加热丝断路B、铂电阻短路C、铂电阻断路D、可控硅短路E、可控硅断路
可控硅控制极在（）条件下才起作用。A、阳极与阴极加有正向电压B、可控硅处于关断状态C、A和B
要使可控硅导通需（）A、阳.阴极间加正向电压B、控制极.阴极间加正向电压C、阴极与控制极间加正向电压D、A和B
可控硅导通必须具备的条件是（）。A、阳极接正向电压B、控制极接正向电压C、阳极接反向电压D、A和B
可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（）
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
可控硅导通的条件是（）。A、阴极电位高于阳极电位B、阳极电位高于阴极电位C、控制极有足够的正向电压D、控制极有足够的正向电流
维持可控硅继续导通的最小（）电流叫可控硅的最小维持电流。A、阳极B、阴极C、正向D、反向
可控硅不仅具有反相阻断能力，而且还具有正向阻断能力。
可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。
可控硅当Ugk，Uak为适当正向电压时，管子就（）已经导通的可控硅，只要Ia大于一定数值如果使Ig=0管子（）状态。
晶闸管的阻断作用有（）。A、正向阻断B、反向阻断C、正向偏置D、反向偏置
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
通常所说多少伏的可控硅，是指它的（）是多少伏。A、正向阻断峰值电压B、正向转折电压C、整流电压D、整流电流
单选题可控硅控制极在（）条件下才起作用。A阳极与阴极加有正向电压B可控硅处于关断状态CA和B
单选题可控硅导通必须具备的条件是（）。A阳极接正向电压B控制极接正向电压C阳极接反向电压DA和B
判断题可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。A对B错
填空题要想使正向导通着的普通可控硅关断，只要（）即可。
填空题可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（）