如果晶体三极管的(),则该管工作于截止区。A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏
如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏
当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体三极管处于()。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态
晶体三极管的发射结为正偏置,集电结为正偏时,晶体三极管处于()工作状态。A、放大B、截止C、饱和
在NPN型晶体三极管放大电路中,如将其基极与发射极短路,三极管所处的状态是()。A、截止B、饱和C、放大D、无法判定
晶体三极管工作在放大区的条件是()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结反偏C、发射结正偏,集电结正偏D、不确定正反偏
当发射结正偏、集电结反偏时,晶体三极管工作在放大状态。
晶体三极管用于饱和时,应使其发射结、集电结处于()A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏
晶体三极管工作在放大状态时,应满足()。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
晶体三极管工作在饱和状态时,满足()。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
晶体三极管要处于截止状态必须满足()。A、发射结集电结构正偏B、发射结集电结均反偏C、发射结正偏集电结反偏D、发射结反偏集电结正偏
在NPN型晶体三极管放大电路中,基极与发射极短路,则晶体管()A、深度饱和B、将截止C、集电极正偏D、发射结反偏
晶体三极管放大区的特点是()。A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结反偏
当硅晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,该管工作在()。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无能确定
晶体三极管工作在饱和区时,要求()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于()A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、.发射结反偏、集电结反偏
在NPN型晶体管放大电路中,如果集电极与基极短路,则()A、晶体三极管将深度饱和B、晶体三极管将截止C、晶体三极管的集电极将正偏
如果晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏,当基极电流增大时,将使晶体三极管()。A、集电极电流减小B、集电极电压Uc上升C、集电极电流增大
晶体三极管工作于饱和状态时,则()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏
晶体三极管工作在放大状态的外部条件是()。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏
晶体三极管要处于饱和状态必须满足()。A、发射结集电结构正偏B、发射结集电结均反偏C、发射结正偏集电结反偏D、发射结反偏集电结正偏
晶体三极管要处于放大状态,必须满足()。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏
晶体三极管用于放大时,则()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结正偏,基集反偏
在NPN型晶体管放大电路中,如果基极与发射极短路,则()。A、晶体三极管将深度饱和;B、晶体三极管将截止;C、晶体三极管的集电极将是正偏。
单选题当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体三极管处于()。A放大状态B饱和状态C截止状态
单选题在NPN型晶体管放大电路中,如果集电极与基极短路,则()A晶体三极管将深度饱和B晶体三极管将截止C晶体三极管的集电极将正偏