退火炉为了提高热效率和加热均匀性，通常选用（）辐射管A、U型B、P型C、A型D、W型

退火炉为了提高热效率和加热均匀性，通常选用（）辐射管

  • A、U型
  • B、P型
  • C、A型
  • D、W型

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往复活塞压缩机按结构形式分为()。 A.V型和W型B.L型和Z型C.D型和M型D.H型和P型
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客车转向架采用焊接式构架()。 A、U型、H型B、S型、M型C、F型、W型D、Z型、X型
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气相色谱柱的形状可用直管、U型管、W型管或螺旋管。此题为判断题(对，错)。
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窝沟解剖形态分类是 A、P型和C型B、C型和K型C、V型和P型D、V型和I型E、I型和U型
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不同乳剂给药的淋巴浓度顺序为A、W/O/W型>W/O型>O/W型B、W/O型>O/W型>W/O/W型C、W/O/W型>O/W型>W/O型D、O/W型>W/O型>W/O/W型E、O/W型>W/O/W型>W/O型
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基质促进皮肤水合作用的能力为A、油脂性基质＞W／O型基质＞O／W型基质＞水溶性基质B、水溶性基质＞W／O型基质＞O／W型基质＞油脂性基质C、水溶性基质＞W／O型基质＞O／W型基质＞油脂性基质D、水溶性基质＞油脂性基质＞W／O型基质＞O／W型基质E、油脂性基质＞O／W型基质＞W／O型基质＞水溶性基质
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根据疾病治疗要求选择合适的软膏基质A.W／O／W型基质B.W／O型基质C.O／W型基质D.水溶性基质E.油脂性基质深部皮肤疾患选用
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放射治疗通常选用的半导体剂量计是（）型半导体探测器。A、“D”型B、“M”型C、“N”型D、“P”型E、“R”型
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结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
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加热炉的类型通常根据其结构外形、辐射盘管形式和燃烧器的布置来划分。常用炉型有：（）、（）、（）、（），本装置炉型为（）
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U型管式换热器组件包括（）。A、壳体、U型管束、管箱、接管等B、壳体、U型管束、管箱、浮头等C、壳体、U型管束、管板、接管等D、壳体、管束、管箱、封头等
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采煤工作面通风系统有U型通风系统、Z型通风系统、Y型通风系统、（）通风系统。A、X型B、E型C、H型D、W型
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松藻煤电公司采煤工作面的通风方式有那些（）A、“U”型B、“W”型C、“U＋专用排瓦斯巷”型D、W＋专用排瓦斯巷”型E、“Y”型
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机组退火炉内加热设备通常包括辐射管及电辐射管
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SF段布置在炉底的（）很脆，不能用脚踩。A、电阻带B、U型辐射管C、烧嘴D、W型辐射管
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冲击试样缺口类型（）A、V型B、O型C、U型D、L型E、w型
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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再生塔重沸器最好选用（）换热器A、U型管且带蒸发空间的B、浮头式C、固定管板式D、U型管式
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下列不是瓦楞纸板类型的是（）A、V型B、U型C、W型D、UV型
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根据詹尼斯和费希巴赫的研究，恐惧程度与态度的改变呈（）关系。A、U型B、倒U型C、W型D、M型
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事业部制组织结构又称为分部结构或（）型结构。A、M型B、U型C、W型D、A型
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大众的标志性外形是（）A、H型前脸B、U型前脸C、V型前脸D、W型前脸
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CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
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在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
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