下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT(GTO)

下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。

  • A、GTR
  • B、IGBT
  • C、MOSFET
  • D、达林顿管
  • E、GOT(GTO)

相关考题:

下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET

写出四个电力电子器件名称(),其中属于全控型器件又是电压驱动的是()。

下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

下列全控型开关器件属于电流型驱动的有()。A、IGBTB、GTOC、MOSFETD、SITH

下列全控型电力电子器件中属于双极型器件有()。A、GTRB、GTOC、SITD、SITH

下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、达林顿管

按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电压型器件

普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电流型器件

下列全控型器件中开关速度最快的是()。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT

C级防雷产品中压敏电阻属于哪类型防雷器件?()A、限压型B、限流型C、开关型D、限功率型

下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管

下列电力电子器件属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、MOSFETE、IGBT

斩波电路中的核心斩波开关只能是全控型器件。

下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()A、电力二极管B、机械式开关C、半控型器件D、全控型器件

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。

在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。

下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT

判断题在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。A对B错

多选题普通晶闸管属于()。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电流型器件

单选题下列全控型器件中开关速度最快的是()。AGTOBGTRCMOSFETDIGBT

填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

单选题斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()A电力二极管B机械式开关C半控型器件D全控型器件