CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。
CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。
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油浸式电流互感器采用比较法带电测试tanδ及电容量时，同相设备介损测量差值与初始测量值差值比较，变化范围不超过_A_，电容量比值与初始测量电容量比值比较，变化范围不超过（）。A、±0.3%，±5%B、±0.4%，±5%C、±0.3%，±4%D、±0.5%，±4%
测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，应符合以下规定（）A、在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式油浸纸tanδ（%）最大值0.7（500kV套管0.5）；B、在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式气体tanδ（%）最大值1.5；C、在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式浇铸树脂tanδ（%）最大值2.0；D、在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式复合绝缘tanδ（%）最大值由供需双方商定；E、电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在±5%范围内。
电流互感器出厂验收标准卡中，电流互感器出厂试验及验收的电容量和介质损耗因数tanδ测量验收标准为（）。A、对于油浸式电流互感器，参照GB20840.2-2014中表209的要求，分电容型和非电容型进行考核B、对于35kV以上电压等级的合成薄膜式的电流互感器，10kV~Um√3电压下介质损耗因数tanδ小于等于0.25%C、对于Um≥252kV的油浸式电流互感器，在0.5Um/√3~Um/√3的测量电压下，介质损耗因数（tanδ）测量值的增值不应大于0.001D、对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏（末屏），在测量电压为3kV下的介质损耗因数（tanδ）允许值不应大于0.02
电流互感器出厂试验，对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏（末屏），在测量电压为3kV下的介质损耗因数（tanδ）允许值不应大于（）。A、0.01B、0.02C、0.03D、0.04
某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ，采用的电压频率f=50Hz，电桥内的电阻R4取3184Ω，调节电阻R3及电容C4使检流计指零，此时电容C4的电容量为0.08μF，则介质损耗正切值tanδ为（）。A、0.02B、0.08C、0.3184D、1
关于电流互感器电容量和介质损耗因数的表述正确的是（）。A、电容量初值差不应超过±3％B、末屏介质损耗因数要求小于0.015C、测量值异常，可测量介质损耗因数与测量电压之间的关系曲线D、220kV电流互感器介损值应小于0.006
单选题某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗角正切值tanδ，采用工频电压频率f=50HZ电桥内的电阻R4取3184Ω，调节电阻R3及电容C4使检流计指针为0，此时电容C4的电容量为0.08μF，则介质损耗正切值为（）A0.02B0.08C0.3184D1
填空题测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在（）范围内。