三极管有PNP型、NPN型两种，若工作在放大状态时：其条件是______。A.发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结集电结都反向偏置C.发射结集电结都正向偏置D.视管子类型而定
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
晶体管放大电路的基本原则是:外加电源使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。 A．错误B．正确
晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向偏置C.发射结正向偏置，集电结反向偏置D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦波时,输出电压波形负半周出现底部削平的失真,这种失真是()。 A、产生饱和失真，应增大偏置电流IBB、产生饱和失真，应减小偏置电流IBC、产生截止失真，应增大偏置电流IBD、产生截止失真，应减小偏置电流IB
共发射极电路的放大区描述正确的?_________ A.发射结处于正向偏置B.集电结处于反向偏置C.晶体管工作于放大状态也称为线性区D.放大区具有电流放大作用
当晶体管截止时,它的发射结必须是()偏置或()偏置。
当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A、截止区B、放大区C、饱和区
晶体管放大电路的基本原则是：外加电源使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。A、正向B、反向C、左向D、右向
普通晶体管用作放大时，输入端发射结保持为（）。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可
晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。A、电量B、电流C、电压D、功率
NPN型三极管基本放大电路在线性放大区工作时，应当发射结正向偏置，集电结反向偏置。
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
工作在放大区的NPN型三极管，其偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
为保证NPN型三极管工作在放大状态，必须使（）；A、必须使三极的集电结处于正向偏置而发射结处于反向偏置；B、必须使三极的发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置；C、必须使三极的发射结处于反向偏置而集电结处于正向偏置；
双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。
为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结（）偏置，集电结（）偏置。 ②对于NPN型三极管，应使VBC（）。
当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO（），导通电压UBE减小。
NPN晶体管处于截止状态的条件是（）。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V
晶体管在放大状态时，集电极为反向偏置，而发射结正向偏置。
放大电路正常工作时要满足（）。A、发射结集电结都正向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结集电结都反向偏置D、发射结正向偏置，集电结反向偏置
单选题三极管工作在截止状态时其条件是（）。A发射结正向偏置，集电结反向偏置B发射结电压小于其死区电压C发射结集电结都正向偏置D集电结电压大于其死区电压
填空题在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。
单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）A发射结正向偏置，集电结反向偏置B发射结反向偏置，集电结正向偏置C发射结正向偏置，集电结正向偏置D发射结反向偏置，集电结反向偏置