下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D、有缺陷的试件，才会产生漏磁场
下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。
- A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
- B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
- C、表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降
- D、有缺陷的试件，才会产生漏磁场
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下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
以下关于漏磁场的叙述中，错误的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的材质无关C、漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D、工件表层下缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
下面关于漏磁场的描述中，正确的是（）A、与缺陷的深宽比有关B、内部缺陷所产生的漏磁场随缺陷埋藏深度的增加而加大C、漏磁场随着工件内磁感应强度的增加而减小D、缺陷平行于磁场方向时漏磁场最小E、A和D是对的
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
单选题下面关于漏磁场的描述中，正确的是（）A与缺陷的深宽比有关B内部缺陷所产生的漏磁场随缺陷埋藏深度的增加而加大C漏磁场随着工件内磁感应强度的增加而减小D缺陷平行于磁场方向时漏磁场最小EA和D是对的
单选题下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D有缺陷的试件，才会产生漏磁场
单选题下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
多选题以下关于漏磁场的叙述中，错误的是（）A缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的材质无关C漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D工件表层下缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
填空题缺陷的高度与宽度之比越小，则缺陷处引起的漏磁场越（）；缺陷的高度与宽度之比越大，则缺陷处引起的漏磁场越（）