单选题下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D有缺陷的试件，才会产生漏磁场
单选题
下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）
A
内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
B
缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
C
表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降
D
有缺陷的试件，才会产生漏磁场
参考解析
解析：
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单选题下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
多选题以下关于漏磁场的叙述中，错误的是（）A缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的材质无关C漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D工件表层下缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
填空题缺陷的高度与宽度之比越小，则缺陷处引起的漏磁场越（）；缺陷的高度与宽度之比越大，则缺陷处引起的漏磁场越（）