触媒的热点温度逐渐下移,生产能力逐渐下降,这种现象称为触媒的()。A、衰老B、暂时中毒C、粉化D、永久性中毒

触媒的热点温度逐渐下移,生产能力逐渐下降,这种现象称为触媒的()。

  • A、衰老
  • B、暂时中毒
  • C、粉化
  • D、永久性中毒

相关考题:

转化器温度高对触媒的危害是()。 A、高温会破坏触媒结晶表面,使其失去活性B、温度越高氯化汞的蒸汽压越高,由于氯化汞升华而导致触媒活性下降。C、高温下乙炔生成树脂状的高聚物沉积在触媒表面,使触媒失作用。D、以上都不是

转化系统开车时,先通入氯化氢是为了()。 A、防止触媒吸潮儿增加阻力B、活化触媒C、防止触媒触媒中毒D、以上都不是

转化炉出口甲烷含量高的原因的是()。 A、触媒活性好B、空速太小C、触媒中毒D、触媒表面无结碳

合成塔阻力增高有哪些原因()。 A.合成塔触媒活性下降B.合成塔触媒中毒C.合成塔触媒粉碎D.系统阻力增高

以下()不属于铜液带入合成塔的现象.A、循环机压差增大B、冷交、氨分液位突然升高C、触媒层上层温度下降,下层上升,热点下降D、系统压力降低

微量高时,首先表现为触媒层的中上层温度急剧上升,而热点温度则略有上升然后下降底层温度上升,压力随之升高

触媒同平面温差过大(甲醇化塔、甲烷化塔)的原因是什么,正确的是()A、触媒充装不匀B、冷管漏气C、热电偶过深D、触媒局部粉化堵塞

变换触媒层温度下降的原因有()A、蒸汽加入量小B、冷煤气量大C、触媒活性低

转化器装填触媒时,如果有触媒粉或灰尘混入转化器中,将会造成转化率下降,其原因有()等。A、有触媒粉或灰尘处气体实际流速低,转化率下降B、有触媒粉或灰尘处触媒比表面积小,转化率下降C、触媒粉或灰尘混入转化器后气流分布不均,转化率下降D、有触媒粉或灰尘处空隙率小,气体流量小,转化率下降

触媒层温度突然下降,系统压力突然上升的原因是()A、微量超高触媒中毒B、循环氢过高C、合成塔带液D、空速加大

触媒热点倒挂的原因()A、空速过大B、分流不当C、活性衰老D、循环量过大

触媒层温度突然下降,系统压力()A、微量超高触媒中毒B、循环氢气太高C、循环氢气太低D、循环量小

合成塔触媒层热点温度控制为多少?

操作不当,温度波动频繁,温差过大,温度过高,就容易使触媒()。A、衰老B、跨温C、粉化D、结块

催化剂发生中毒的表现,首先是催化剂层()温度下降,热点温度略有上升,然后下降;并且热点温度下移,整个反应下降,系统压力升高。

升温还原中出水量过猛有何危害,不正确的是()A、升温还原主期温度难以控制,造成触媒烧坏B、造成反复氧化一还原,铜晶格增大,活性降低,使用寿命减少C、气体温度高,造成触媒粉化D、触媒强度增强

触媒的生产能力与下面的()有关。A、循环气体中的惰性气含量B、循环气体中的有效气含量C、触媒的活性D、触媒的操作温度

催化剂衰老后,会使()。A、活性逐渐增强,生产能力逐渐增大B、活性逐渐增强,生产能力逐渐降低C、活性逐渐下降,生产能力逐渐降低D、活性逐渐下降,生产能力逐渐增大

合成系统置换合格前,对触媒温度要求是()。A、触媒降温B、触媒保温C、和触媒温度无关D、触媒升温

铁钼触媒的热点温度为()℃A、200—300B、350—420C、400—450

甲醇合成触媒的硫中度是一种累积性中毒,触媒活性随硫化物的增加而下降。

触媒钝化方法是用N2置换合格,逐渐配入仪表空气,使触媒氧化为氧化态(CuO)。()

甲醇合成触媒烧结后,工艺显示现象有()。A、床层压差上升B、床层压差上升C、触媒活性大幅下降D、床层温度下降

进转化工段焦炉气总硫为什么必须控制在0.1PPm以下()A、因为合成触媒和甲烷化触媒昂贵,对入口硫含量要求苛刻B、若ZnO槽出口总硫过高,不会使合成触媒和CH4转化触媒中毒失去活性C、若ZnO槽出口总硫过高,必然会使合成触媒和CH4转化触媒中毒失去活性D、总硫高不会造成重大经济损失

因为合成触媒和甲烷化触媒昂贵,对入口硫含量要求苛刻,若ZnO槽出口总硫过高,必然会使合成触媒和CH4转化触媒中毒失去活性,从而造成重大经济损失,所以必须控制ZnO槽出口总硫在0.2PPm以下

不是转化炉出口甲烷含量高的原因的是()。A、触媒活性下降B、空速太小C、触媒中毒D、触媒表面结碳

甲醇合成触媒的硫中毒是一种累积性中毒,触媒活性随硫化物的增加而下降。