c-Si是由（）组成的。A、结晶粒相B、结晶粒相界C、非晶相D、微晶相
晶界的能量较高，原子处于不稳定状态，所以（）。A、晶界上原子扩散速度快，拉弯首先在晶界行核B、晶界上比晶粒内部强度、硬度低C、晶界上不易聚集杂质原子D、晶界腐蚀速度慢
以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（）A、孪晶铜B、中碳钢C、亚共晶铝硅合金
下列关于晶界的说法哪种是错误的（）。A、晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B、晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C、晶界是原子、空位快速扩散的主要通道D、晶界易受腐蚀
由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。A、大角度晶界和孪晶界B、相界面C、外表面
金属晶体中最主要的面缺陷是（）。A、晶界B、亚晶界C、超晶界D、次晶界
依靠相界、晶界或基质的结构缺陷等不均匀部位而成核的过程，称为（）又称（）
小角度晶界和大角度晶界是如何划分的？为什么要那样划分？其晶界能有何不同？
简述一次莫来石、二次莫来石、相界、晶界、晶界异相偏析效应的定义。
晶粒之间的界面称为（）。A、亚晶界B、晶界C、曲面D、小角度晶界
单选题凡组成相同，结构相同而趋向不同的晶体间形成的接触面为（）A相界B表面C晶界D间隙
问答题晶界有小角度晶界与大角度晶界之分，大角度晶界能用位错的阵列来描述吗？
多选题c-Si是由（）组成的。A结晶粒相B结晶粒相界C非晶相D微晶相
多选题多晶陶瓷破晶界的特点（）A强度比晶粒低得多B沿晶界破坏C晶粒晶界长强度高D起始裂纹长度与晶粒晶界相当
多选题金属晶体中最主要的面缺陷是（）。A晶界B亚晶界C超晶界D次晶界
问答题简述一次莫来石、二次莫来石、相界、晶界、晶界异相偏析效应的定义。
单选题以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（）A孪晶铜B中碳钢C亚共晶铝硅合金
填空题依靠相界、晶界或基质的结构缺陷等不均匀部位而成核的过程，称为（）又称（）
单选题下列关于晶界的说法哪种是错误的（）。A晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C晶界是原子、空位快速扩散的主要通道D晶界易受腐蚀
单选题由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。A大角度晶界和孪晶界B相界面C外表面
判断题小角度晶界的晶界能比大角度晶界的晶界能高。A对B错
单选题晶粒之间的界面称为（）。A亚晶界B晶界C曲面D小角度晶界