单选题由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在()部位不易形核。A大角度晶界和孪晶界B相界面C外表面

单选题
由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在()部位不易形核。
A

大角度晶界和孪晶界

B

相界面

C

外表面


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

在晶核生长速率G一定时,晶核形核率越大,其晶粒将()。 A.越细B.越粗C.没有关系

金属熔液在结晶凝固时若液相中各个区域出现新相晶核的几率都是相同的,这种形核方式叫做均匀形核。此题为判断题(对,错)。

晶核的形成有()方式。A、自发形核(异质形核)B、非自发形核(异质形核)C、自发形核(均质形核)D、非自发形核(均质形核)

熔池晶核长大时所增加的表面能形成晶核时所增加的表面能要小,所以,晶粒长大比形核所需的过冷度().A、要小B、要大C、相等

金属熔液在结晶凝固时若液相中各个区域出现新相晶核的几率都是相同的,这种形核方式叫做均匀形核。

晶核在长大时,其界面总是向()区域推进。A、无畸变B、新晶粒C、畸变D、不一定

只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做()。A、自发形核B、非自发形核C、结晶D、形核

结晶过程是()的过程。A、形核及晶核长大B、形核及晶核转变C、晶核及质点长大D、晶核及质点转变

简述再结晶的形核机制。

下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在()部位不易形核。A、大角度晶界和孪晶界B、相界面C、外表面

金属的再结晶转变,也要经历形核与晶核长大的过程。

再结晶过程也是形核和长大的过程,所以再结晶过程也是相变过程。

随着过冷度的增大,晶核形核率N(),长大率G()。

在金属结晶过程中,晶核的形成有两种形式:()。且非自发形核比自发形核更重要,往往起()作用。

非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大,其促进非均匀形核的作用越大。

当冷变形金属的加热温度高于回复温度时,在变形组织的基体上产生新的无畸变的晶核,并迅速长大形成等轴晶粒,逐渐取代全部变形组织,这个过程称为()。A、恢复B、回复C、再结晶D、结晶

名词解释题临界晶核形核功

判断题金属的再结晶转变,也要经历形核与晶核长大的过程。A对B错

单选题金属结晶后,其晶粒的粗细与结晶时()有关。A形核率和形核速度B形核速度和形核面积C形核率和晶核长大速度D晶粒度和晶核长大速度

问答题说明以下概念的本质区别: 1、一次再结晶和二次在结晶。 2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。

问答题指出下列错误之处,并改正之。 1、所谓临界晶核,就是体积自由能的减少完全补偿表面自由能增加时的晶胚大小。 2、在液态金属中,凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能形核,但是只要有足够的能量起伏提供形核功,还是可以形核。 3、无论温度分布如何,常用纯金属都是树枝状方式生长。

单选题晶核在长大时,其界面总是向()区域推进。A无畸变B新晶粒C畸变D不一定

单选题当冷变形金属的加热温度高于回复温度时,在变形组织的基体上产生新的无畸变的晶核,并迅速长大形成等轴晶粒,逐渐取代全部变形组织,这个过程称为()。A恢复B回复C再结晶D结晶

问答题证明在相同的过冷度下均质形核时,球形晶核与立方形晶核哪种更易形成。

单选题实际金属结晶形成晶核时,主要是哪种形核方式()。A自发形核B非自发形核C平面形核

多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。