填空题依靠相界、晶界或基质的结构缺陷等不均匀部位而成核的过程,称为()又称()

填空题
依靠相界、晶界或基质的结构缺陷等不均匀部位而成核的过程,称为()又称()

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相关考题:

晶体外表面、晶粒边界、孪晶界等属于面缺陷。()

晶体的线缺陷包括()。A、空位B、晶界C、亚晶界D、位错

面缺陷主要是指金属中的晶界和亚晶界。

加热温度过高时,金属的晶界发生熔化,同时炉气浸入使晶界氧化,破坏了晶粒的结合力,这种缺陷称为()

金相组织有晶界()、严重()、脱碳及晶界裂纹等缺陷的炉管应更换。

亚晶界是由()。A、点缺陷堆积而成B、位错垂直排列成位错墙而构成C、晶界间的相互作用构成

晶界、亚晶界是实际晶体材料晶体缺陷中的()A、面缺陷B、体缺陷C、线缺陷D、点缺陷

由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在()部位不易形核。A、大角度晶界和孪晶界B、相界面C、外表面

不属于面缺陷()。A、相界面B、位错C、堆垛层错D、亚晶界

金属晶体中最主要的面缺陷是()。A、晶界B、亚晶界C、超晶界D、次晶界

在宏观均匀的玻璃中,在没有外来物参与下,与相界、结构缺陷等无关的成核过程,称为()又称()

依靠相界、晶界或基质的结构缺陷等不均匀部位而成核的过程,称为()又称()

金属的晶界是面缺陷。晶粒愈细,晶界愈多,金属的性能愈差。

金属沿着晶界或晶界的邻近区域发生严重腐蚀,而晶粒本身腐蚀轻微时,这种腐蚀称为()。A、电偶腐蚀B、缝隙腐蚀C、小孔腐蚀D、晶间腐蚀

简述一次莫来石、二次莫来石、相界、晶界、晶界异相偏析效应的定义。

晶粒之间的界面称为()。A、亚晶界B、晶界C、曲面D、小角度晶界

相界一般包括:容器壁、气泡、杂质颗粒或添加物等与基质之间的界面,由于分相而产生的界面,以及空气与基质的界面(即表面)等称为()

单选题凡组成相同,结构相同而趋向不同的晶体间形成的接触面为()A相界B表面C晶界D间隙

多选题金属晶体中最主要的面缺陷是()。A晶界B亚晶界C超晶界D次晶界

填空题相界一般包括:容器壁、气泡、杂质颗粒或添加物等与基质之间的界面,由于分相而产生的界面,以及空气与基质的界面(即表面)等称为()

单选题晶界、亚晶界是实际晶体材料晶体缺陷中的()A面缺陷B体缺陷C线缺陷D点缺陷

填空题金属的晶体缺陷主要有空位和间隙原子,(),晶界和亚晶界等。

填空题在宏观均匀的玻璃中,在没有外来物参与下,与相界、结构缺陷等无关的成核过程,称为()又称()

单选题亚晶界是由()。A点缺陷堆积而成B位错垂直排列成位错墙而构成C晶界间的相互作用构成

单选题当界面两侧的晶体具有非常相似的结构和类似的取向,越过界面原子面是连续的,这样的界面称为()。A共格晶界B半共格晶界C非空格晶界D小角度晶界

单选题晶粒之间的界面称为()。A亚晶界B晶界C曲面D小角度晶界

单选题由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在()部位不易形核。A大角度晶界和孪晶界B相界面C外表面