单选题关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()A持续时间长B突触前膜去极化C潜伏期较长D通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E轴突末梢释放抑制性递质

单选题
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()
A

持续时间长

B

突触前膜去极化

C

潜伏期较长

D

通过轴突-轴突突触结构的活动来实现

E

轴突末梢释放抑制性递质


参考解析

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关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的A、持续时间长B、突触前膜去极化C、潜伏期较长D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质

下列关于突触前抑制的叙述,错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短,持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动

突触前抑制的特点下列哪一项是错误的A、突触前膜去极化B、持续时间长C、潜伏期较长D、通过轴突一轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质

关于突触的描述中,哪一项是错误的()。A.是神经元与神经元之间或神经元与非神经元之间特化的细胞连接B.可分为电突触和化学突触,通常泛指的突触是后者C.光镜下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分D.突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡E.突触后膜上有特异性受体

关于突触前抑制的描述,错误的是() A.中间兴奋性神经元兴奋B.突触后膜超极化C.突触前膜去极化D.突触前膜释放兴奋性递质E.突触前膜内递质耗竭

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的A.突触前末梢去极化B.Ca2+由膜内进入突触前膜内C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

下列突触前抑制的描述,哪个是不正确的A.突触前膜释放递质量减少B.一定有轴—轴突触存在C.突触前膜释放抑制性递质D.多见于感觉传入途径中

关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化B.Ca由膜外进入突触前膜内C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

下述关于兴奋突触传递过程的论述,哪一项是错误的?A. 突触前膜去极化B. Ca2+进入突触前膜C. 突触前膜释放兴奋性递质D. 突触后膜对Na+通透性增强E. 突触后膜产生IPSP经总和产生动作电位

下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?A. 突触前膜超极化B. Ca2+经突触前膜进入突触小体C. 突触前膜释放抑制性递质D. 突触后膜对Cl-通透性增强E. Cl-内流产生IPSP

下列关于突触前抑制特点的描述,正确的是A.以树突-树突式突触为结构基础B.多见于运动传出通路中C.潜伏期和持续时间均较长D.因突触前膜发生超极化而产生

关于突触前易化的产生,下列哪一描述是正确的?A.结构基础与突触前抑制完全不同B.到达突触前末梢的动作电位频率高C.有多个兴奋同时到达突触前末梢D.进入突触前末梢内的增多

下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。A.B.突触前末梢去极化C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D.E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

下列关于突触前抑制特点的描述,正确的是( )A.以树突一树突式突触为结构基础B.多见于运动传出通路中C.潜伏期和持续时间均较长D.因突触前膜发生超极化而产生

关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()A、突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-,特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位

关于兴奋性实触后电位产生过程的描述中哪一项是错误的?()A、突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质并与突触前受体结合C、突触后瞄对Na+、K+、C1-,特别是Na+的通透性增高D、突触后膜出现去极化电位

关于突触前抑制的正确描述是()A、突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位B、突触前膜超极化,释放抑制性递质C、突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少D、突触前膜去极化,释放抑制性递质

关于突触的描述中,哪一项错误()。A、是神经元与神经元之间,或神经元与非神经元之间特化的细胞连接B、可分为电突触和化学性突触,通常泛指的突触是后者C、光镜化学性突触下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分(电镜下)D、突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡E、突触后膜上有特异性受体

单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()A突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C突触后膜对K+、C1-,特别是Cl-的通透性增高D突触后膜出现超极化电位

单选题突触前抑制的特点下列哪一项是错误的()A突触前膜去极化B持续时间长C潜伏期较长D通过轴突一轴突突触结构的活动来实现E轴突末梢释放抑制性递质

单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?(  )A突触前轴突末梢去极化BCa2+由膜外进入突触前膜内C突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

单选题关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()A持续时间长B突触前膜去极化C潜伏期较长D通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E轴突末梢释放抑制性递质

单选题关于突触的描述中,哪一项错误()。A是神经元与神经元之间,或神经元与非神经元之间特化的细胞连接B可分为电突触和化学性突触,通常泛指的突触是后者C光镜化学性突触下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分(电镜下)D突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡E突触后膜上有特异性受体

多选题下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短,持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动

单选题下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是(  )。ACa2+由膜外进入突触前膜内B突触前末梢去极化C突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D突触后膜对K+或Cl-的通透性升高E突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

单选题关于突触前抑制的正确描述是()A突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位B突触前膜超极化,释放抑制性递质C突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少D突触前膜去极化,释放抑制性递质

单选题关于突触前易化的产生,下列哪一描述是正确的?(  )A结构基础与突触前抑制不同B到达突触前末梢的动作电位频率高C有多个兴奋同时到达突触前末梢D进人突触前末梢内Ca2+增多E突触后膜有多个EPSP发生总和

单选题下列关于突触前抑制特点的描述,正确的是(  )。A以树突一树突式突触为结构基础B多见于运动传出通路中C潜伏期和持续时间均较长D因突触前膜发生超极化而产生E意义在于使神经元的活动及时终止