多选题下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短,持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动

多选题
下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()
A

突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少

B

突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质

C

突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触

D

潜伏期短,持续时间短

E

可调节控制感觉信息的传入活动


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的A、持续时间长B、突触前膜去极化C、潜伏期较长D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质

下列关于突触前抑制的叙述,错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短,持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动

关于突触前抑制的叙述,正确的是( )。A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

关于突触前抑制的叙述,正确的是A、突触前膜超级化B、突触后膜超级化C、突触前膜去极化D、突触后膜去极化E、没有神经递质参与

关于突触前抑制的叙述,正确的是A.突触前膜超极化B.突触后膜超极化C.突触前膜去极化D.突触后膜去极化E.没有神经递质参与

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致

下列有关中枢抑制的叙述,错误的是:A.中枢抑制的产生不需外来的刺激B.抑制也可以扩散和集中C.抑制可分为突触后抑制和突触前抑制D.抑制也可以总和

下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?A. 突触前膜超极化B. Ca2+经突触前膜进入突触小体C. 突触前膜释放抑制性递质D. 突触后膜对Cl-通透性增强E. Cl-内流产生IPSP

以下有关突触后抑制的叙述,哪项是错误的:A.由抑制性突触的活动引起;B.突出后膜发生超极化C.兴奋性神经元不会引起突触后抑制D.突触前膜释放抑制性递质

单选题关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()A持续时间长B突触前膜去极化C潜伏期较长D通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E轴突末梢释放抑制性递质

单选题关于突触前抑制的叙述,正确的是()。A突触前膜超极化B突触后膜超极化C突触前膜去极化D突触前膜释放抑制性递质E潜伏期较短

单选题关于突触前抑制的叙述,正确的是()A突触前膜超极化B突触后膜超极化C突触前膜去极化D突触后膜去极化E没有神经递质参与