关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？A.结构基础与突触前抑制完全不同B.到达突触前末梢的动作电位频率高C.有多个兴奋同时到达突触前末梢D.进入突触前末梢内的增多
关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？
A.结构基础与突触前抑制完全不同
B.到达突触前末梢的动作电位频率高
C.有多个兴奋同时到达突触前末梢
D.进入突触前末梢内的增多
B.到达突触前末梢的动作电位频率高
C.有多个兴奋同时到达突触前末梢
D.进入突触前末梢内的增多
参考解析
解析：
相关考题：
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化B.Ca由膜外进入突触前膜内C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
下述关于兴奋突触传递过程的论述，哪一项是错误的？A. 突触前膜去极化B. Ca2+进入突触前膜C. 突触前膜释放兴奋性递质D. 突触后膜对Na+通透性增强E. 突触后膜产生IPSP经总和产生动作电位
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化B. Ca2+经突触前膜进入突触小体C. 突触前膜释放抑制性递质D. 突触后膜对Cl-通透性增强E. Cl-内流产生IPSP
关于突触传递可塑性的说法中错误的是A.突触易化主要涉及的离子是Ca2+B.突触强化主要是由于前膜内Na蓄积C.长时程强化指该突触活动增强D.突触强化与Ca浓度增高有关E.突触易化与Na蓄积有关
关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）A、突触易化主要涉及的离子是Ca2+B、突触强化主要是由于前膜内的Na+蓄积C、突触强化与Ca2+浓度增高有关D、长时程强化指该突触活动增强E、突触易化与Na+蓄积有关
关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）A、突触易化主要涉及的离子是CaB、突触强化主要是由于前膜内Na蓄积C、长时程强化指该突触活动增强D、突触强化与Ca浓度增高有关E、突触易化与Na蓄积有关
单选题关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）A突触易化主要涉及的离子是Ca2+B突触强化主要是由于前膜内的Na+蓄积C突触强化与Ca2+浓度增高有关D长时程强化指该突触活动增强E突触易化与Na+蓄积有关
单选题关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）。A突触易化主要涉及的离子是Ca2+B突触强化主要是由于前膜内Na+蓄积C长时程强化指该突触活动增强D突触强化与Ca2+浓度增高有关E突触易化与Na+蓄积有关
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
单选题关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（ ）A结构基础与突触前抑制不同B到达突触前末梢的动作电位频率高C有多个兴奋同时到达突触前末梢D进人突触前末梢内Ca2+增多E突触后膜有多个EPSP发生总和
单选题下列关于突触可塑性的描述，正确的是（）A是学习和记忆的生理学基础B突触传递效能仅发生短时改变C也被称为突触易化D仅有突触功能的改变而无形态改变E只有少数几种可塑性形式