问答题用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

问答题
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

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关于EDRAM(增强动态随机存取存储器)芯片的说法中,错误的是()。 A.在DRAM芯片上集成了一个SRAM实现的小容量高速缓冲存储器,从而使DRAM芯片的性能得到显著改进B.芯片内的数据输出路径与输入路径没有分开C.在SRAM读出期间可同时对DRAM阵列进行刷新D.芯片内的数据输出路径与输入路径是分开的,允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作

存储器的总容量S是指 () A、存储单元数B、存储器的地址线数C、CPU访存空间大小D、存放二进制总位数

巳知DRAM2118芯片容量为16K×1位,若组成64KB的系统存储器,则组成的芯片组数和每个芯片组的芯片数为().() A、2和8B、1和16C、4和16D、4和8

有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?死时间率是多少?

内存按字节编址,地址从90000H到CFFFFH,若用存储容量为16K×8bit的存储器芯片构成该内存,至少需要(3)片。A.2B.4C.8D.16

假设8086CPU的主频为5MHz,内存芯片的存取时间为250ns,下面说法中正确的是A.读/写内存时不需要加入等待周期TwB.读/写内存时至少需加入1个等待周期TwC.读/写内存时至少需加入2个等待周期TwD.读/写内存时至少需加入3个等待周期Tw

用容量为16K?8位的存储器芯片构成地址从0A0000H到0BFFFFH的8位存储器,应该使用A.8片B.10片C.16片D.20片

●内存按字节编址,地址从A4000H到CBFFFH,共有 (1) B。若用存储容量为16K× 8bit的存储器芯片构成该内存,至少需要 (2) 片。(1) A.80KB.96KC.160KD.192K(2) A.2B.6C.8D.10

在执行指令MOV [BX], AX时,CPU进入A.I/O写总线周期B.存储器写总线周期C.I/O读总线周期D.存储器读总线周期

某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?

下列关于存储器的描述,正确的有A.CPU访存时间由存储器容量决定 B.ROM和RAM在存储器中是统一编址的C.ROM中任一单元不可以随机访问 D.DRAM是破坏性读出,因此需要读后重写

当M/IO=0,RD=0,WR=1时,CPU完成的操作是A.存储器读B.I/O读C.存储器写D.I/O写

内存按字节编址,地址从A4000H到CBFFFH,共有(1)B。若用存储容量为16K×8bit的存储器芯片构成该内存,至少需要(2)片。A.80KB.96KC.160KD.192K

设用2K×4位的存储器芯片组成16K×8位的存储器(地址单元为0000H~3FFFH,每个芯片的地址空间连续),则地址单元0B1FH所在芯片的最小地址编号为______。A.0000HB.2800HC.2000HD.0800H

用152片64K×1的芯片构成一个存储器,问:①存储器的容量为多少字节?②片选信号至少为多少个?③地址长度至少为多少位?

用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

现有1024×1的存储芯片,若用它组成容量为16K×8存储器。试求: (1)实现该存储器所需的芯片数量? (2)若将这些芯片分装在若干块板上,每块板的容量为4K×8,该存储器所需的地址线总位数是多少?其中几位用于选板?几位用于选片?几位用作片内地址?

当RD#=0,WR#=1,M/IO#=0时,CPU完成的操作是().A、存储器读B、存储器写C、I/O读D、I/O写

构成8086系统64KB的存储器,选择存储器芯片的最佳方案是()。A、2片32K×8BitB、1片32K×16BitC、1片64K×8BitD、2片16K×16Bit

用1024×1位的RAM 芯片组成16K×8位的存储器,需要多少芯片?在地址线中有多少 位参与片内寻址?多少位组合成片选择信号?(设地址总线为16位)

写出下列存储器芯片(非DRAM)基本地址范围。这些芯片各需要几位地址线实现片内寻址?若要组成64KB的存储器需要几片? 1)4416芯片 2)6116芯片 3)27128芯片 4)62256芯片

有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

问答题用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

单选题8086工作在最小模式下,当M/IO#=0,RD#=0,WR#=1时,CPU完成的操作是()A存储器读BI/O读C存储器写DI/O写

单选题CPU对存储器或I/0端口完成一次读/写操作所需的时间为一个()。A指令周期B总线周期C时钟周期D机器周期

单选题CPU对存储器或I/0端口完成一次读/写操作所需的时间为一个()A指令周期B总线周期C时钟周期

问答题有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

单选题当M/I0=1,RD=1,WR=0时,8086CPU完成的操作是。()A存储器读BI/0读C存储器写DI/0写