问答题用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
问答题
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
参考解析
解析：
暂无解析
相关考题：
关于EDRAM(增强动态随机存取存储器)芯片的说法中,错误的是()。 A.在DRAM芯片上集成了一个SRAM实现的小容量高速缓冲存储器，从而使DRAM芯片的性能得到显著改进B.芯片内的数据输出路径与输入路径没有分开C.在SRAM读出期间可同时对DRAM阵列进行刷新D.芯片内的数据输出路径与输入路径是分开的，允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作
有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?
假设8086CPU的主频为5MHz，内存芯片的存取时间为250ns，下面说法中正确的是A.读/写内存时不需要加入等待周期TwB.读/写内存时至少需加入1个等待周期TwC.读/写内存时至少需加入2个等待周期TwD.读/写内存时至少需加入3个等待周期Tw
●内存按字节编址，地址从A4000H到CBFFFH，共有 (1) B。若用存储容量为16K× 8bit的存储器芯片构成该内存，至少需要 (2) 片。(1) A．80KB．96KC．160KD．192K(2) A．2B．6C．8D．10
某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?
设用2K×4位的存储器芯片组成16K×8位的存储器（地址单元为0000H～3FFFH，每个芯片的地址空间连续），则地址单元0B1FH所在芯片的最小地址编号为______。A.0000HB.2800HC.2000HD.0800H
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
现有1024×1的存储芯片，若用它组成容量为16K×8存储器。试求： （1）实现该存储器所需的芯片数量？ （2）若将这些芯片分装在若干块板上，每块板的容量为4K×8，该存储器所需的地址线总位数是多少？其中几位用于选板？几位用于选片？几位用作片内地址？
写出下列存储器芯片（非DRAM）基本地址范围。这些芯片各需要几位地址线实现片内寻址？若要组成64KB的存储器需要几片？ 1）4416芯片 2）6116芯片 3）27128芯片 4）62256芯片
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
单选题当M/I0=1，RD=1，WR=0时，8086CPU完成的操作是。（）A存储器读BI/0读C存储器写DI/0写