用万用表尺×100Q挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
当在PN结上加正向电压时，PN结处于（ ）状态。A.击穿B.饱和C.截止D.导通
稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性B.PN结的反向击穿特性C.PN结的正向导通特性D.PN工艺特性
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
PN结的主要特性是（）。A、单向导电性、电容效应B、电容效应、击穿特性C、单向导电性、击穿特性D、单向导电性、电容效应、击穿特性
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
用万用表R3100Ω的欧姆挡，测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（）。A、两个PN结都被击穿B、两个PN结都被烧掉C、只是发射结被击穿D、只是基集被击穿
填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
填空题PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。
填空题根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。