问答题杂质半导体中,多子和少子是如何形成的?

问答题
杂质半导体中,多子和少子是如何形成的?

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相关考题:

PN结两端反向偏压时、难以进行()。 A、多子扩散B、少子扩散C、多子漂移D、少子漂移

P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子() 此题为判断题(对,错)。

在本征半导体中,()是多子,由()形成。在P型半导体中,()是少子,由()形成。

P(N)型半导体的多子、少子

在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

在本征半导体内掺入微量的3价元素,可形成()型杂质半导体。其中的多子是()

本征半导体掺入微量的()元素,则形成P型半导体,其多子为(),少子为()。

PN结加正向电压时,其正向电流是()。A、多子扩散而成B、少子扩散而成C、少子漂移而成D、多子漂移而成

本征半导体掺入微量的三价元素形成的是()型半导体,其多子为()。

在纯净的半导体中掺入不同的杂质,可形成两种不同的杂质半导体,即N型半导体和()半导体。

在外电场作用下,漂移电流主要是()运动引起,扩散电流主要是()运动引起。A、多子,少子B、少子,多子C、多子,多子D、少子,少子

在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成()A、P型半导体,其少子为自由电子B、N型半导体,其多子为自由电子C、P型半导体,其少子为空穴D、N型半导体,其多子为空穴

对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

在P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子。

在N型半导体中,多子是(),少子是();在P型半导体中,多子是(),少子是()

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

温度升高,本征载流子浓度();杂质半导体中少子浓度(),多子浓度()

杂质半导体中()的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴

在杂质半导体中,少子浓度主要取决于()A、掺入杂质的浓度B、材料C、温度

杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。

在本征半导体中,()是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴

名词解释题P(N)型半导体的多子、少子

填空题在P型半导体中空穴是多子,()是少子。

单选题半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()A多子---少子---少子;B少子---多子---多子;C多子---多子---多子D少子---少子---少子。

单选题对于N型半导体来说,以下说法正确的是()A费米能级靠近导带底B空穴为多子C电子为少子D费米能级靠近靠近于价带顶

单选题在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子

单选题PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A多子扩散B少子扩散C少子漂移D多子漂移