判断题试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大A对B错

判断题
试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大
A

B


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电压互感器正常工作时的磁通密度接近饱和值。

过励磁指铁心的磁通密度过大而使铁心饱和,励磁电流急剧增加,对变压器则使铁损(),铁心温度(),引起变压器严重过热,()绝缘老化,甚至造成绝缘损坏;对发电机则铁心饱和后谐波磁通密度(),附加损耗加大,引起局部过热。

什么叫磁通密度、磁通?

极化继电器工作时,它的工作气隙同时有两个独立的磁通,它们是()A、工作磁通和漏磁通B、主磁通和漏磁通C、工作磁通和极化磁通D、极化磁通和漏磁通

磁粉探伤操作时磁化是首先根据缺陷特性与试件形状选定磁化方法,在根据磁化方法,磁粉,试件的材质、形状、尺寸等确定磁化电流值,使试件表面有效磁场的磁通密度达到试件材料饱和磁通密度的()。A、100%B、80%~90%C、65%~80%D、30%~50%

下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A、与试件上总的磁通密度有关B、与缺陷自身高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的()%时,缺陷漏磁通开始急剧增大

当线圈的磁化力施加到铁磁性材料上时,材料中的磁通密度().A、小于试验线圈子因热损耗而产生的磁通密度;B、小于试验线圈因电阻率而产生的磁通密度;C、与试验线圈产生的磁通密度相同;D、大于试验线圈产生的磁通密度.

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A、它与试件上的磁通密度有关B、它与缺陷的高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

下列有关磁化曲线的正确叙述为()。A、 磁化曲线表示磁场强度H与磁感应强度B的关系B、 经过一次磁化后,把磁场强度降为零时的磁通密度称为饱和磁通密度C、 在铁磁材料中,磁场强度通常与磁通密度成正比D、 经过一次磁化后,把磁场强度降为零时的磁通密度称为矫顽力

下列有关漏磁通的叙述正确的是()。A、内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱D、用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

饱和磁通密度

铁磁性材料放在线圈中的磁化场中,材料的磁通密度()A、小于线圈所产生的磁通密度,这是由于热耗引起的B、小于线圈所产生的磁通密度,这是由于电阻引起的C、等于线圈所产生的磁通密度D、大于线圈所产生的磁通密度

()操作时磁化是首先根据缺陷特性与试件形状选定磁化方法,在根据磁化方法,磁粉,试件的材质、形状、尺寸等确定磁化电流值,使试件表面有效磁场的磁通密度达到试件材料饱和磁通密度的80%~90%。A、渗透检测B、频谱检测C、磁粉探伤D、超声波检测

极化继电器的衔铁发生动作时,其工作气隙内同时作用着两个独立的磁通,它们是().A、漏磁通和永久磁通B、工作磁通和主磁通C、极化磁通和永久磁通D、极化磁通和工作磁通

由磁致伸缩所产生的噪声水平随磁通密度的增大而增高,当磁通密度由B1变到B2时,噪声水平的变化为ΔL≈50lgB2/B1。

电动机原极数少,后改为极数多时,每极铁芯的()。A、圆周面积增大,轭部磁通密度增大B、圆周面积减小,轭部磁通密度减小C、圆周面积不变,轭部磁通密度不变

过励磁指铁心的磁通密度过大而使铁心饱和,励磁电流急剧增加,对变压器则使铁损(),铁心温度(),引起变压器严重过热,加速(),甚至造成绝缘损坏;对发电机则铁心饱和后谐波磁通密度(),附加损耗加大,引起局部过热。

单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A它与试件上的磁通密度有关B它与缺陷的高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

单选题铁磁性材料放在线圈中的磁化场中,材料的磁通密度()A小于线圈所产生的磁通密度,这是由于热耗引起的B小于线圈所产生的磁通密度,这是由于电阻引起的C等于线圈所产生的磁通密度D大于线圈所产生的磁通密度

判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关A对B错

判断题试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大A对B错

单选题下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A与试件上总的磁通密度有关B与缺陷自身高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

单选题当线圈的磁化力施加到铁磁性材料上时,材料中的磁通密度().A小于试验线圈子因热损耗而产生的磁通密度;B小于试验线圈因电阻率而产生的磁通密度;C与试验线圈产生的磁通密度相同;D大于试验线圈产生的磁通密度.

单选题下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()A内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱D用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

填空题试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的()%时,缺陷漏磁通开始急剧增大