单选题在饱和与过饱和温度曲线上,结晶二次成核出现在()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区

单选题
在饱和与过饱和温度曲线上,结晶二次成核出现在()。
A

稳定区

B

第一介稳区

C

第二介稳区

D

不稳定区


参考解析

解析: 暂无解析

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关于过饱和现象,以下说法正确的是() A、由于过饱和超出了溶解度,不可能长期稳定存在B、药物浓度达到过饱和,药物定会成核结晶析出C、过饱和现象有可能维持很长时间D、过饱和只是一种假设情况

在冷却结晶中,随着规模的放大,结晶釜制冷能力降低,冷却时间延长,这种情况下,由于过饱和度不高,不会发生成核。() 此题为判断题(对,错)。

整个结晶过程都必须将过饱和度控制在( )内。A.不稳区B.稳定区C.亚稳区D.成核区

碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时,由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要(),因此所得成品粒度会()。A、快,大B、快,小C、慢,大D、慢,小

下列选项中,不会影响成核速率的的是()。A、温度B、杂C、压力D、过饱和度

在结晶操作时,温度变化(冷却、蒸发速度)应与结晶()相适应,维持一定的溶液过饱和度。

根据结晶动力学理论,工业结晶操作时选择过饱和度的原则是()。A、不影响结晶密度(质量)B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢

加晶种控制结晶,使溶液的过饱和度控制在介稳区中,不会出现()现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

整个结晶过程都必须将过饱和度控制在()内。A、不稳区B、稳定区C、亚稳区D、成核区

在饱和与过饱和温度曲线上,自发成核区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

在饱和与过饱和温度曲线上,结晶初级成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种后,在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

根据结晶动力学理论,结晶溶液过饱和度高,结晶速率越快,在工业结晶操作时,应选择()的最高过饱和度。A、不影响结晶密度(质量)B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢

在饱和与过饱和温度曲线上,结晶二次成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

在饱和与过饱和温度曲线上,为了产品质量控制和提高晶体回收率,工业结晶操作应在()进行。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

结晶初级成核速度N=Ae-△Gmax/(RT),△Gmax=16πV2mσ3/3(RTlnα)2,从公式可得到()。A、在温度不变的情况下,饱和溶液不能自动成核B、过饱和度越高,成核中速度越高C、温度越高,成核速度也越高D、成核速度受温度和过饱和度综合影响

在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

单选题在饱和与过饱和温度曲线上,结晶二次成核出现在()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区

填空题在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

单选题在饱和与过饱和温度曲线上,结晶初级成核出现在()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区

单选题在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种后,在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区

多选题根据结晶动力学理论,结晶溶液过饱和度高,结晶速率越快,在工业结晶操作时,应选择()的最高过饱和度。A不影响结晶密度(质量)B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢

多选题结晶初级成核速度N=Ae-△Gmax/(RT),△Gmax=16πV2mσ3/3(RTlnα)2,从公式可得到()。A在温度不变的情况下,饱和溶液不能自动成核B过饱和度越高,成核中速度越高C温度越高,成核速度也越高D成核速度受温度和过饱和度综合影响

多选题在结晶的放大过程中,可能出现的问题有()A冷却结晶放大时,釜壁处温度较低,容易使此处的过饱和度较大,从而成核B反应釜中混合不均从而使体系温度波动,产生“熟化”现象C结晶过程中混合不均,在局部剪切力的作用下发生成核D在剪切力的作用下晶体的粒径分布发生变化

单选题在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区

多选题根据结晶动力学理论,工业结晶操作时选择过饱和度的原则是()。A不影响结晶密度(质量)B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢

单选题在饱和与过饱和温度曲线上,自发成核区域是()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区