vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
半导体开关三极管正常工作的条件是工作在( )。A.截止区、饱和区B.截止区、放大区C.放大区、饱和区D.耗散区、放大区
增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
在脉冲电路中,三极管主要工作在()和饱和区,经过放大区的时间则是很短的。 A、放大区B、截止区C、截止放大区D、饱和放大区
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对,错)。
增强型MOS管放大电路,为何不可采用自给栅偏压的结构形式?
N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
稳压管在稳压电路中,必须工作在()A、饱和区B、放大区C、截止区D、反向击穿区
集成运放工作在非线形区时,若同相端输入电压大于反相端输入电压,输出电压为()。A、负的饱和值B、零C、正的饱和值D、不确定
三极管作为开关时工作区域是()A、饱和区+放大区B、击穿区+截止区C、放大区+击穿区D、饱和区+截止区
场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
晶体三极管在电路中用作“开关”时,不能工作在()。A、截止区和放大区B、放大区和饱和区C、截止区和饱和区D、放大区
UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
三极管作放大管时一般工作在()。A、放大区B、截止区C、饱和区
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。
场效应管中,Idss表示栅源电压为零时的()电流。
场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。
当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
EMOS管存在导电沟道时,栅源之间的电压必定大于零。
CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。
判断题从电路原理受控源的角度本质上看,工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。A对B错
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()A正极性B负极性C零D不能确定
单选题在短沟道MOS器件中,当器件工作在饱和区,源漏电压升高,会使源漏电流()A增大B减小C不变D先减小后增大