开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。

开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。


参考答案和解析
B

相关考题:

二极管的单向导电性是指:() A、外加正向电压导通,加反向电压截止。B、外加正向电压截止,加反向电压导通。C、外加正向电压导通,加反向电压导通。

IGBT斩波调速是通过改变IGBT导通和关断时间的比值调节电机平均电压,调速过程中能量损耗极小。() 此题为判断题(对,错)。

IGBT导通时,由P+注入区向N基区发射少数载流子,从而对漂移区()进行调制,使IGBT具有很强的通流能力。 A、电导率B、降压值C、耐压值D、电热率

开关电源就是利用电子开关器件,通过控制电路,使电子开关器件不停地“导通”和“关断”,让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制,从而实现DC-AC、DC-DC电压变换,电压输出可调,并且可以自动稳压。()

双馈异步风力发电机组通过调节()栅射极电压来实现励磁电流的调节。

PN结的单向导电性是指()。A、加正电压时截止,加反电压时导通B、加正电压时导通,加反电压时截止C、加正电压时截止,加反电压时截止D、加正电压时导通,加反电压时导通

PN结的单向导电性是指()A、加正电压截止,加反电压导通B、加正电压导通,加反电压截止C、加正电压截止,加反电压截止D、加正电压导通,加反电压导通

在MOS门电路中,欲使NMOS管导通可靠,栅极所加电压应小于开启电压UTN。()

断开控制极后,能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压,称为正向阻断峰值电压。

绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制.A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压

如何使用万用表测量带电导线的通断()。A、直接将万用表选择在通断测量处,测量导线如果鸣叫即为导通B、直接选择电压档,如果电压显示为零,则表示导通C、直接测量电阻,如果电阻无穷大,则导通D、直接测量电流,如果为零,则导通

IGBT属于一种电压控制型器件,只要对其输入端提供一种正向驱动电压就可使其导通,反之,断去其驱动电压便可使其关断。

功率MOSFET对驱动电路的要求是()。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压

晶闸管的控制极不加触发电压也能导通。

要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压

N沟道JFET的跨导gm是()A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小

GTR、IGBT等过流保护中,为何要采用检测集射极电压作为保护基准?

IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而(),开关速度()电力MOSFET 。

二极管两端正向电压大于()时,二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压

为什么IGBT是电导调制性场效应管?

绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。

绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压

在MOS门电路中,欲使FMO3管导通,栅极所加电压应()开启电压(Ure0)。A、大于B、小于C、等于D、任意

在10kV线路和设备中,无间隙氧化锌避雷器得到广泛使用,取得了很好的运行效果。下面就无间隙氧化锌避雷器的结构、工艺、电压电流特性优缺点、使用注意事项提出以下问题。氧化锌避雷器阀片具有优异的非线性电压—电流特性,(),不需要串联间隙,可避免传统避雷器因火花间隙放电特性变化而带来的缺点。A、高电压导通,而低电压不导通B、高电压不导通,而低电压导通C、高电流导通,而低电流不导通D、高电流不导通,而低电流导通

填空题双馈异步风力发电机组通过调节()栅射极电压来实现励磁电流的调节。

判断题IGBT属于一种电压控制型器件,只要对其输入端提供一种正向驱动电压就可使其导通,反之,断去其驱动电压便可使其关断。A对B错

填空题IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而(),开关速度()电力MOSFET 。

填空题开启电压(阈值电压)的高低与栅下半导体中的(),栅氧化层的()、()、()、()等有关。载流子浓度越高,开启电压的绝对值();栅氧化层厚度越厚,开启电压的绝对值()。