IGBT导通时,由P＋注入区向N基区发射少数载流子,从而对漂移区()进行调制,使IGBT具有很强的通流能力。 A、电导率B、降压值C、耐压值D、电热率

IGBT导通时,由P＋注入区向N基区发射少数载流子,从而对漂移区()进行调制,使IGBT具有很强的通流能力。

A、电导率

B、降压值

C、耐压值

D、电热率

相关考题：

从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
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导致小电流下电流放大系数下降的原因是：A．发射结存在载流子产生效应；B．发射结存在载流子复合效应；C．基区出现大注入效应；D．发射区出现大注入效应；
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基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。
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导致大电流下电流放大系数下降的原因是：A．发射结存在载流子产生效应；B．发射结存在载流子复合效应；C．基区出现大注入效应；D．发射区出现大注入效应；
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开启电压UGE（th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。
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三极管工作在放大状态 下，载流子由发射区发射，基区输运，集电区收集 三极管工作在放大状态 下，载流子由发射区发射，基区输运，集电区收集
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下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）A．IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的B．IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通C．由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降D．当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断
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18、下面（）可减小IGBT的通态压降。A．减小漂移区厚度B．增大栅极电压C．适当增加漂移区载流子寿命D．增大漏极电压
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下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）A．IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。B．IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。C．由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。D．当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断。
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