复合管的类型与组成复合管的()的类型相同。 A、第2只三极管B、第一只三极管C、无法确定
半导体三极管与场效应管的一重要区别是:三极管为()控制元件,场效应管为()控制元件。
CMOS电路是指（）。A、场效应管晶体管组成的电路B、P和N型场效应管互补组成的电路C、P型场效应管组成的电路D、N型场效应管组成的电路
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
JT-1型图示仪只是测三极管的专用仪器，不能测试场效应管等元器件。
液晶显示器电源电路中的开关管通常是（）。A、场效应晶体管B、三极管C、复合三极管D、双基二极管
英文简写“FET”通常表示的含义是（）A、二极管B、三极管C、场效应管D、复合三极管
三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、三极管为电压控制，场效应管为电流控制D、三极管为电流控制，场效应管为电压控制
场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。
场效应管与三极管相似，但两者的控制特性却截然不同，三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（）
JT-1晶体管特性图示仪只能测量三极管和场效应管的有关参数，不能测量电阻、二极管等元器件的参数。
场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要（）
CMOS电路是由半导体（）管组成。A、三极管B、二极管C、场效应D、单结晶体
场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻（），热稳定性（）。
场效应管属于（）型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是（）型器件。
场效应管属于（）控制器件，而三极管属于（）控制器件。
由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效就管不能组成复合管。
半导体三极管属（）控制器件，而场效应管属（）控制器件。
场效应管属于（）控制型器件，而晶体三极管则认为是（）控制型器件。
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是（）器件，三极管是（）器件。
NPN三极管为（）。A、硅三极管B、锗三极管C、可能是硅管或是锗管D、场效应管
场效应管抽样门和三极管抽样门对比，三极管抽样需二个特性相同的管子组成，场效可以只用一个管子组成
填空题场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。