半导体三极管与场效应管的一重要区别是:三极管为()控制元件,场效应管为()控制元件。
具有三个电极的场效应管，其工作原理与普通三极管相同。
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
下列描述正确的是（）A、场效应管是电压控制电流元件B、场效应管输入电阻较小C、场效应管是双极型晶体管
光电耦合电路的核心是光电耦合器，其结构由（）和光敏三极管构成。A、二极管B、三极管C、发光二极管D、场效应管
单极型半导体器件是（）。A、二极管B、双极型三极管C、场效应管D、稳压管
场效应管是（）制型元件，而双极型三极管是（）控制型元件。
MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻（）得多。
BJT三极管与FET三极管相比（）A、二者输入电阻均很大B、二者输入电阻均很小C、前者的输入电阻较小，后者的输入电阻甚大D、前者的输入电阻甚大，后者的输入电阻较小
由于晶体三极管（），所以将它称为双极型的，由于场效应管（），所以将其称为单极型的。
场效应管属于（）型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是（）型器件。
双极型三极管是（）控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加（）偏置，集电结需要加（）偏置。场效应管是（）控制器件。
场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻（）。源极输出电路的重要特点是（），（）和（）。
双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是（）电路。A、共发射极B、共集电极C、共基极D、不能确定
场效应管属于（）控制型器件，而晶体三极管则认为是（）控制型器件。
双极型三极管是（）控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加（）偏置电压，集电极需要加（）偏置电压；场效应管是（）控制器件。
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是（）器件，三极管是（）器件。
晶体三极管是（）控制型器件，是（）型器件。场效应管是（）控制型器件，是（）型器件
场效应管的输入电阻比双极型三极管的输入电阻（），所以输入电流近似为（）。
与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
以下选项中，（）属于不控型器件。A、晶闸管B、三极管C、二极管D、场效应管
NPN三极管为（）。A、硅三极管B、锗三极管C、可能是硅管或是锗管D、场效应管
双极型半导体器件是（）A、二极管B、三极管C、场效应管D、稳压管
单选题下列描述正确的是（）A场效应管是电压控制电流元件B场效应管输入电阻较小C场效应管是双极型晶体管
单选题BJT三极管与FET三极管相比（）A二者输入电阻均很大B二者输入电阻均很小C前者的输入电阻较小，后者的输入电阻甚大D前者的输入电阻甚大，后者的输入电阻较小