N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对，错)。
在半导体中存在两种导电的带电粒子，即()。A.带负电的自由电子B.带正电的自由电子C.带正电的空穴D.带负电的空穴
在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
在特定位置光子束对轨道电子的能量转移，不会导致在相同位置能量被介质吸收，这是因为（）A、光子强度B、光子能量C、次级电子有射程D、次级电子强度E、次级电子能量
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
在半导体中存在两种导电的带电粒子，即（）。A、带负电的自由电子B、带正电的自由电子C、带正电的空穴D、带负电的空穴
为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
宝石受到（）激发，发出可见光的性质叫（）.宝石吸收一部分能量后，原子中低能级的电子跃迁到高能级，在吸收光谱中（）带，但当电子从高能级（）时，（）出来，称之为发光.
要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
多选题下列关于原子中电子的能级和跃迁，正确的有（）A原子内层的电子能量较低B电子从高能级跃迁到低能级时会发射光子C电子从高能级跃迁到低能级时会吸收光子D发光的颜色取决于电子跃迁的两个能级间的能量差
填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题一个氢原子从n=3能级跃迁到n=2能级，该氢原子（）。A放出光子，能量增加B放出光子，能量减少C吸收光子，能量增加D吸收光子，能量减少
单选题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A比半导体的大B比半导体的小C与半导体的相等
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收
问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收
单选题在外来光子的激发下，低能级El上的电子吸收了光子的能量h（）(=E2-El)而跃迁到高能级E2的过程称为（）A自发辐射B受激辐射C受激吸收D康普顿效应
单选题A 电子由n=2能级跃迁到n=1能级，放出光子为可见光B 大量氢原子处于n-4能级时，电子向低能级跃迁能发出6种频率的光子C 氢原子光谱是连续光谱D 氢原子处于n=2能级时，电子可吸收2.54eV的能量跃迁到高能级
问答题直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。