()为机械能形式表示的能量方程式。 A、伯努利方程式B、热焓方程式
A.恒为常数，并与反应方程式的写法有关B.由反应方程式的写法而定C.随平衡浓度及平衡分压而定D.由加入反应物的量而定
一定温度下，某反应的标准平衡常数K Θ 的数值：（A）恒为常数，并与反应方程式的写法有关（B）由反应方程式的写法而定（C）随平衡浓度及平衡分压而定（D）由加入反应物的量而定
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
热解法中热解室的温度为（）。A、300～650℃B、100～500℃C、200～650℃D、100～650℃
常用的炉料配置方法有表格核算法、解联立方程式法、图解法等。
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A、1050～1200℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、1200～1350℃
牌号为Q235，材料厚度为50mm左右，层间温度（）℃，回火温度为600-650℃。A、＜350B、＜450C、＜550D、＜650
消除应力退火的加热温度一般为（）。A、150-250℃B、350-450℃C、600-650℃D、700-750℃
变换反应的最佳反应温度与下列项目无关的是（）。A、活化能B、动力学方程式C、反应热D、平衡温度
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
CUMS柴油机怠速，其转速达600-650转/分，油压为（）以上，电压为（）左右。
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。A对B错
判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A对B错
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制A对B错
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制A对B错
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错
填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
单选题一定温度下，某反应的标准平衡常数K0in数值（）。A恒为常数，并与反应方程式的写法有关B由反应方程式的写法而定C随平衡浓度及平衡分压而定D由加入反应物的量而定
填空题CUMS柴油机怠速，其转速达600-650转/分，油压为（）以上，电压为（）左右。